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原文传递一种测量介质材料二次电子发射系数的方法

专利名称：	一种测量介质材料二次电子发射系数的方法
摘要：	本发明公开了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其步骤包括：1)将待测介质材料放置在金属样品台上；将金属样品台、栅网、收集极的输出端口与采集装置输入端口连接，且金属样品台、栅网所施加电压与电子枪出射口电压相同，收集极电位高于金属样品台电位；2)调整电子枪参数，使电子束斑的照射金属样品台表面，并持续照射设定时间；3)将电子枪出射的电子能量调节至需要测试的能量，将初级电子束的照射位置调节至介质材料表面，使电子枪发射脉冲电子束，测量并计算金属样品台、栅网、收集极各通路脉冲电流I1、I2、I3；通过公式δ＝(I2+I3)/(I1+I2+I3)计算当前电子入射能量下介质材料的二次电子发射系数δ。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院高能物理研究所
发明人：	温凯乐;刘术林;闫保军;王玉漫
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-16T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201910405418.3
公开号：	CN110146529A
代理机构：	北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	司立彬
分类号：	G01N23/22(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	100049 北京市石景山区玉泉路19号乙
主权项：	1.一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其步骤包括： 1)将待测介质材料放置在金属样品台上，将该金属样品台升入收集极中并对真空腔体抽真空； 2)将金属样品台、栅网、收集极的输出端口与电信号采集装置输入端口连接，且金属样品台、栅网所施加电压与电子枪出射口电压相同，收集极电位高于金属样品台电位设定值； 3)调整电子枪参数，使电子束斑照射位置为金属样品台表面，使电子枪发射电子束并持续照射设定时间，从而用金属样品台产生的低能二次电子对介质材料表面的正电荷进行充分中和； 4)将电子枪出射的电子能量调节至需要测试的能量，将电子枪出射的初级电子束的照射位置调节至介质材料表面，并将电子枪的工作状态调节为脉冲工作模式； 5)使电子枪发射脉冲电子束，测量并计算金属样品台、栅网、收集极各通路脉冲电流，即金属样品台脉冲电流I1、栅网脉冲电流I2、收集极脉冲电流I3； 6)通过公式δ＝(I2+I3)/(I1+I2+I3)计算当前电子入射能量下，该介质材料的二次电子发射系数δ； 7)改变入射电子能量，重复步骤3)～6)，直到所有待测量的入射能量下的二次电子发射系数均测量完毕为止。 2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述设定值为50V。 3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，调整电子枪参数，使其出射的电子束斑照射该介质材料边缘的金属样品台区域，电子束斑边缘与介质材料边缘的最短距离为5mm。 4.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，步骤3)中，电子动能为300eV～1000eV，持续照射时间为5s～100s。 5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过脉冲信号放大器放大金属样品台、栅网、收集极、上的输出脉冲信号。
所属类别：	发明专利