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原文传递一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法

专利名称：	一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法
摘要：	本发明公开一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法，装置的特征在于：在真空室内沿真空室的中心轴z由上而下依次平行设置的电子枪、测试夹具和收集极；测试夹具上安有微通道板，微通道板包括输入端和输出端，输入端面朝电子枪；工作电源位于真空室外，包括电子枪电源、微通道板电源、收集极电源，依次分别与电子枪、微通道板、收集极相连接；电流表位于真空室外，位于收集极电源与收集极之间；机械手通过波纹管与真空室内的移动导杆相连。本发明的方法是利用微通道板的输出电流与输入端上面材料的二次电子发射系数成正比，同时以微通道板输入端所镀制的镍‑铬电极材料的二次电子发射系数为基准来测量材料二次电子发射系数。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	云南;53
申请人：	北方夜视技术股份有限公司
发明人：	李晓峰;常乐;曾进能;李廷涛;周善堃
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910513725.3
公开号：	CN110220929A
代理机构：	昆明今威专利商标代理有限公司
代理人：	赛晓刚
分类号：	G01N23/2251(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	650217 云南省昆明市红外路5号
主权项：	1.一种测量材料二次电子发射系数的装置，包括电子枪(1)、微通道板(3)、测试夹具(4)、收集极(8)、电流表(10)、真空室(2)、机械手(5)以及工作电源(9)，其特征在于：在真空室(2)内沿真空室(2)的中心轴z由上而下依次平行设置的电子枪(1)、测试夹具(4)和收集极(8)；所述测试夹具(4)上安装有微通道板(3)，微通道板(3)包括输入端(3-4)和输出端(3-5)，所述微通道板的输入端(3-4)面朝所述电子枪(1)；所述工作电源(9)位于真空室(2)外，包括电子枪电源(9-1)、微通道板电源(9-2)、收集极电源(9-3)，依次分别与电子枪(1)、微通道板(3)、收集极(8)相连接；所述电流表(10)位于真空室外，位于收集极电源(9-3)与收集极(8)之间；所述机械手(5)通过波纹管(6)与真空室(2)内的移动导杆(7)相连。 2.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述微通道板(3)的输入端(3-4)和输出端(3-5)均镀制有镍-铬电极。 3.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述微通道板输出端(3-5)接地，电位为0V，所述微通道板输入端(3-4)的电位为负电位，为-700V～-900V。 4.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述微通道板(3)由几百万根直径为Φ5μm～Φ12μm的空心通道(3-8)所组成，通道内壁(3-6)表面为高二次电子发射系数的半导体材料，通道(3-8)之间由通道壁(3-7)相隔，互不串通；微通道板(3)为圆片状，直径在Φ25mm～Φ40mm之间，厚度在0.3mm～0.4mm之间，斜角为6°。 5.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述电子枪(1)电位低于微通道板输入端(3-4)电位，二者的具体电位差应根据二次电子发射系数的测量要求而定。 6.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述真空室(2)的真空依靠机械泵加分子泵的真空机组来获得，真空度≤5×10-6托。 7.根据权利要求1所述的一种测量材料二次电子发射系数的装置，其特征在于：所述收集极(8)为金属铜。 8.一种测量材料二次电子发射系数的方法，其特征在于：步骤包括： (1)蒸镀待测材料使用真空镀膜机将待测材料蒸镀在微通道板的输入端(3-4)面上，但在蒸镀材料时，使用挡板(11)将微通道板输入端(3-4)面的一半进行遮挡；由于遮挡，材料的膜层仅仅能覆盖微通道板输入端(3-4)的一半面积； (2)安装微通道板将镀好待测材料膜层的微通道板(3)装入真空室(2)的测试夹具(4)上。安装时，微通道板的输入端(3-4)面朝电子枪，并且使微通道板(3)的圆心与真空室(2)的中心轴z重合，微通道板输入端面(3-4)上镀膜区(3-1)与非镀膜区(3-2)的分界线(3-3)与真空室(2)水平面的y轴重合； (3)抽真空及施加工作电压安装好微通道板(3)之后，对真空室(2)进行抽真空，当真空度≤5×10-6托之后，打开工作电源(9)，对微通道板(3)、收集极(6)以及电子枪(1)施加所需的工作电压； (4)读取电流数据之后利用机械手(5)在水平面的x方向上移动测试夹具(4)，使电子枪(1)所发射的电子束斑(13)入射在微通道板输入端非镀膜区(3-1)一半的面积上，然后利用电流表(10)测量出微通道板(3)的输出电流I0；之后再在水平面的x方向上反向移动测试夹具(4)的位置，使电子枪(1)所发射的电子束斑(13)入射在微通道板输入端镀膜区(3-2)另一半的面积上，然后利用电流表(10)测量出微通道板(3)的输出电流I；测量完成之后，利用下式计算出所测材料的二次电子发射系数Y。
所属类别：	发明专利