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一种改善硅片边缘翘曲的切割方法
| 专利名称： | 一种改善硅片边缘翘曲的切割方法 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片边缘翘曲的切割方法，在切割深度为0mm‑8mm位置处，且砂浆的流量为68L/min‑70L/min；在切割深度为8mm‑18mm位置处时，砂浆的流量呈线性递减，且砂浆的流量为(2*切割深度值+52)L/min；在切割深度为18mm‑98mm位置处时，砂浆的流量为80L/min；在切割深度为98mm‑122mm位置处时，砂浆的流量从80L/min依次逐渐递减至61L/min；在切割深度为122mm‑A位置处时，砂浆流量为61L/min，A为晶棒的最大外径值，A＝130mm±2mm。本专利通过优化在不同的切割深度时的砂浆流量，明显改善硅片边缘翘曲的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海申和热磁电子有限公司;杭州中芯晶圆半导体股份有限公司 |
| 发明人： | 卢运增;贺贤汉;丁晓健 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811104224.1 |
| 公开号： | CN109227975A |
| 代理机构： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 |
| 代理人： | 顾兰芳 |
| 分类号： | B28D5/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号 |
| 主权项： | 1.一种改善硅片边缘翘曲的切割方法，其特征在于，在切割深度为0mm‑8mm位置处，砂浆的流量始终保持恒定状态，且砂浆的流量为68L/min‑70L/min；在切割深度为8mm‑18mm位置处时，砂浆的流量呈线性递减，且砂浆的流量为(2*切割深度值+52)L/min；在切割深度为18mm‑98mm位置处时，砂浆的流量为80L/min；在切割深度为98mm‑122mm位置处时，砂浆的流量从80L/min依次逐渐递减至61L/min；在切割深度为122mm‑A位置处时，砂浆流量为61L/min，A为晶棒的最大外径值，A＝130mm±2mm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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