原文传递
一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片
| 专利名称： | 一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片 |
| 摘要： | 本发明属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片，包括硅基片和绝缘层，以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路；所述金属电路至少包含两个金属电极，分别用于接地和信号输入；金属电极靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连，以实现与微波信号输入端的阻抗匹配；正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm，使得电极与硅片的寄生电容小于1pF；金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm；信号输入电极近样品端引出有测量电极，用于信号的原位测量。采用本发明的透射电镜原位测试芯片，可以实现0–6GHz内的任意波形信号下的原位测试，拓展了原位电镜的应用范围。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 复旦大学 |
| 发明人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811448585.8 |
| 公开号： | CN109270099A |
| 代理机构： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 |
| 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |
| 主权项： | 1.一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片，其特征在于，硅基片和硅基片两面的绝缘层，以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路；所述金属电路至少包含两个金属电极，分别用于接地和信号输入；并且金属电极在靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连，以实现与微波信号输入端的阻抗匹配；硅基片两面的绝缘层为二氧化硅，或者为二氧化硅表面再生长有氮化硅，正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm，使得电极与硅片的寄生电容小于1pF；金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
