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用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片
| 专利名称： | 用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片 |
| 摘要： | 本发明属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。本发明的电镜原位电学测试芯片，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路；金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本发明的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔，可用于多种条件下的原位透射电镜观测；同时放置样品的位置在芯片边缘，便于使用聚焦离子束工艺制备样品。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 复旦大学 |
| 发明人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811448655.X |
| 公开号： | CN109270100A |
| 代理机构： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 |
| 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |
| 主权项： | 1.一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路，金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口，缺口的底边距离圆心0–1000μm，缺口底边长度20–250μm，缺口斜边与底边延长线夹角20°~90°，缺口深度20–500μm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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