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用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片
| 专利名称： | 用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片 |
| 摘要： | 本实用新型属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路；金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本实用新型的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔，可用于多种条件下的原位透射电镜观测；同时放置样品的位置在芯片边缘，便于使用聚焦离子束工艺制备样品。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 复旦大学 |
| 发明人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-11-30T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-10-15T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201821991585.8 |
| 公开号： | CN209495986U |
| 代理机构： | 上海正旦专利代理有限公司 |
| 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |
| 主权项： | 1.一种用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路，金属电路用于对样品施加或测量电信号；芯片外形为直径2.5–3.0mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口，缺口的底边距离圆心0–1000μm，缺口底边长度20–250μm，缺口斜边与底边延长线夹角20°~90°，缺口深度20–500μm。 2.根据权利要求1所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形后，再从其正下方即水平方向和左右两侧即垂直方向分别割去一弓形区域，形成一多边形，该多边形左右对称。 3.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述金属电路，厚度为20–200nm，位于中心直径2.5mm的圆之内。 4.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述的硅基片厚度为50–200μm。 5.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述的绝缘层为二氧化硅，或在二氧化硅层上还生长有一层氮化硅，绝缘层总厚度0.1–3μm。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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