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一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法
| 专利名称： | 一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法，将梯度纳米纯铜进行打磨并抛光、除油处理后用磁控溅射镀膜机溅射在试样侧面镀银膜，对镀膜后的试样进行快速退火处理，使得银膜在试样侧面聚集成银质斑点；本发明得到的SEM试样上的斑点，能与梯度纳米纯铜材料基体产生鲜明的对比度，斑点大小可控，形状规则，斑点导电性强，在扫描电镜下具有良好的成像效果，降低了后续DIC分析中的误差。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 云南;53 |
| 申请人： | 昆明理工大学 |
| 发明人： | 张峥;朱心昆 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811086517.1 |
| 公开号： | CN109270102A |
| 分类号： | G01N23/2202(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |
| 主权项： | 1.一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将梯度纳米纯铜试样侧面用砂纸进行打磨并抛光处理；（2）将步骤（1）抛光后的梯度纳米纯铜试样置于丙酮中超声波清洗10min，然后碱洗、酸洗除油；（3）对步骤（2） 除油后的梯度纳米纯铜试样侧面进行磁控溅射镀膜机镀膜，磁控溅射参数为：腔体气压3Pa，银靶功率40~60W，溅射时间20~50s，银靶浓度99.9999%，背底真空度2×10‑3Pa；（4）对步骤（3）处理后的梯度纳米纯铜进行退火处理，在300℃~400℃保温5~10分钟，随炉冷却至室温，得到梯度纳米纯铜SEM试样。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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