专利名称: |
一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法 |
摘要: |
本发明公开一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法,将梯度纳米纯铜进行打磨并抛光、除油处理后用磁控溅射镀膜机溅射在试样侧面镀银膜,对镀膜后的试样进行快速退火处理,使得银膜在试样侧面聚集成银质斑点;本发明得到的SEM试样上的斑点,能与梯度纳米纯铜材料基体产生鲜明的对比度,斑点大小可控,形状规则,斑点导电性强,在扫描电镜下具有良好的成像效果,降低了后续DIC分析中的误差。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
云南;53 |
申请人: |
昆明理工大学 |
发明人: |
张峥;朱心昆 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811086517.1 |
公开号: |
CN109270102A |
分类号: |
G01N23/2202(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
申请人地址: |
650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |
主权项: |
1.一种用于DIC分析的梯度纳米纯铜SEM试样的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)将梯度纳米纯铜试样侧面用砂纸进行打磨并抛光处理;(2)将步骤(1)抛光后的梯度纳米纯铜试样置于丙酮中超声波清洗10min,然后碱洗、酸洗除油;(3)对步骤(2) 除油后的梯度纳米纯铜试样侧面进行磁控溅射镀膜机镀膜,磁控溅射参数为:腔体气压3Pa,银靶功率40~60W,溅射时间20~50s,银靶浓度99.9999%,背底真空度2×10‑3Pa;(4)对步骤(3)处理后的梯度纳米纯铜进行退火处理,在300℃~400℃保温5~10分钟,随炉冷却至室温,得到梯度纳米纯铜SEM试样。 |
所属类别: |
发明专利 |