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微电子传感器装置和用于制造微电子传感器装置的方法
| 专利名称： | 微电子传感器装置和用于制造微电子传感器装置的方法 |
| 摘要： | 本发明实现一种微电子传感器装置和一种相应的用于制造微电子传感器装置的方法。微电子传感器装置包括红外源(10)和压力敏感的微膜片(20)，其中，在所述压力敏感的微膜片(20)的上侧(O1)上布置具有特定气体(G1)的气体室(30)。此外，在所述红外源(10)和所述气体室(30)之间构造吸收区域(A1)，在该吸收区域的内部能够感测所述特定气体(G1)，其中，调节所述压力敏感的微膜片(20)，以便测量在所述气体室(30)中的通过所述红外源(10)加热的所述特定气体(G1)的压力上升；并且，这样构造所述压力敏感的微膜片(20)，使得在所述吸收区域(A1)中出现所述特定气体(G1)的情况下能够测量在所述压力敏感的微膜片(20)上的压力降。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 德国;DE |
| 申请人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 发明人： | C·凯泽 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201780034237.3 |
| 公开号： | CN109313129A |
| 代理机构： | 永新专利商标代理有限公司 72002 |
| 代理人： | 侯鸣慧 |
| 分类号： | G01N21/3504(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 德国斯图加特 |
| 主权项： | 1.微电子传感器装置(100)，具有：红外源(10)；和压力敏感的微膜片(20)，其中，在所述压力敏感的微膜片(20)的上侧(O1)上布置具有特定气体(G1)的气体室(30)；其中，如此选择所述红外源(10)的波长，使得所述特定气体(G1)的吸收峰值处于所述红外源(10)的波长范围中；并且，在所述红外源(10)和所述气体室(30)之间构造吸收区域(A1)，在该吸收区域的内部能够感测所述特定气体(G1)；其中，调节所述压力敏感的微膜片(20)，以便测量在所述气体室(30)中的通过所述红外源(10)加热的所述特定气体(G1)的压力上升；并且，这样构造所述压力敏感的微膜片(20)，使得在所述吸收区域(A1)中出现所述特定气体(G1)的情况下能够测量在所述压力敏感的微膜片(20)上的压力降。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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