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原文传递基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法

专利名称：	基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法
摘要：	本发明提供一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，步骤如下：获取实验样品的XRF光谱；计算各个待校准元素在各个像素单元的初始强度；计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比；计算成像区域的平均密度；计算实验样品在成像区域的总质量；计算各个待校准元素的总质量；计算各个待校准元素在各个像素单元的质量；计算各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比；计算各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；计算各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度；计算相邻两次校准强度的变化量，判断所述变化量是否小于阈值，若所述变化量小于阈值，则得到的校准强度即为校准后的强度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	中国地质大学（武汉）
发明人：	刘鹏;冯宇;杨雁媛;徐勇;王焰新
专利状态：	有效
申请号：	CN201811383183.4
公开号：	CN109324076A
代理机构：	武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238
代理人：	郝明琴
分类号：	G01N23/223(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
主权项：	1.基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，包括以下步骤：S101，获取实验样品的XRF光谱，所述XRF光谱包括若干个像素单元；S102，计算各个待校准元素在各个像素单元的初始强度；S103，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的初始强度计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比；S104，根据实验样品的颗粒密度计算成像区域的平均密度；S105，根据所述成像区域的平均密度计算实验样品在成像区域的总质量；S106，根据所述实验样品在成像区域的总质量和实验样品的元素组成计算各个待校准元素的总质量；S107，根据所述各个待校准元素的总质量和其在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元的质量；S108，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的质量计算各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比；S109，根据所述各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比计算各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；S110，根据所述各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面、各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度；S111，返回步骤S103，利用得到的各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度再次计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比，并重复执行步骤S107‑S110,得到各个待校准元素在各个像素单元中的更新后的校准强度；S112,计算相邻两次校准强度的变化量，判断所述变化量是否小于阈值，若所述变化量小于阈值，则步骤S111得到的更新后的校准强度即为校准后的强度；若所述变化量大于等于阈值，则重复执行步骤S111‑S112。
所属类别：	发明专利