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原文传递 一种检测氰离子的可视化比率荧光体系及其制备方法和应用
专利名称: 一种检测氰离子的可视化比率荧光体系及其制备方法和应用
摘要: 本发明公开了一种检测氰离子的可视化比率荧光体系及其制备方法和应用,所述可视化比率荧光体系包括N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点、碳点、铜离子和磷酸盐缓冲液;所述可视化比率荧光体系中,铜离子浓度为0.7~1.2μmol/L,N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点浓度为20 nmol/L,在测试体系中,碳点的荧光强度与被铜离子猝灭的N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点的荧光峰强度之比为25~35:1;所述可视化比率荧光体系的pH值为7~8.8。本发明所述的比率荧光系统制备简便且廉价,对氰离子具有很好的选择性和灵敏度,具有宽的线性范围,极低的检测限。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 浙江工业大学
发明人: 汪晶;李大权;黄亮;胡军
专利状态: 有效
申请号: CN201811460195.2
公开号: CN109342384A
代理机构: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213
代理人: 周红芳
分类号: G01N21/64(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址: 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号
主权项: 1.一种检测氰离子的可视化比率荧光体系,其特征在于包括N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点、碳点、铜离子和磷酸盐缓冲液;所述可视化比率荧光体系中,铜离子浓度为0.7~1.2μmol/L,N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点浓度为20 nmol/L,在测试体系中,碳点的荧光强度与被铜离子猝灭的N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点的荧光峰强度之比为25~35 : 1;所述可视化比率荧光体系的pH值为7~8.8。
所属类别: 发明专利
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