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检查用晶片和能量分布的检查方法
| 专利名称： | 检查用晶片和能量分布的检查方法 |
| 摘要： | 本发明提供检查用晶片和能量分布的检查方法，以简单的构成模拟地确认聚光光斑的区域的能量分布。检查用晶片(WA)对从晶片(41)的上表面侧照射的激光的聚光光斑的区域中的能量分布进行确认，在晶片的上表面上形成有比热或熔点不同的第1金属层(42)和第2金属层。能量分布的检查方法根据形成在该检查用晶片上的第1、第2金属层的加工痕，对激光的能量分布进行确认。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 日本;JP |
| 申请人： | 株式会社迪思科 |
| 发明人： | 佐井星一 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810927682.9 |
| 公开号： | CN109425612A |
| 代理机构： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
| 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 分类号： | G01N21/84(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 日本东京都 |
| 主权项： | 1.一种检查用晶片，其对从晶片的上表面侧照射的激光的聚光光斑的区域中的能量分布进行确认，其中，在晶片的上表面上形成有比热或熔点不同的第1金属层和第2金属层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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