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一种大口径光学元件表面吸收型缺陷分布快速成像的方法
| 专利名称： | 一种大口径光学元件表面吸收型缺陷分布快速成像的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大口径光学元件表面及亚表面吸收型缺陷分布的快速成像方法，运用高能量脉冲激光经准直扩束形成大尺寸激励光斑对光学元件进行照射加热，光学元件表面及亚表面的吸收型缺陷在样品内形成瞬态温度分布及折射率分布。经过一定延时后，运用另一束低能量脉冲激光经准直扩束形成大尺寸探测光斑穿过光学元件被照射的相同区域，其衍射光场分布由CCD记录。通过控制激励和探测激光脉冲之间的延时并分析CCD记录的衍射光场图像特征确定光学元件被照射区域是否存在吸收型缺陷以及相应特征。本方法保留了传统光热透镜技术探测灵敏度和分辨率高等优点，并极大地提高了单次探测面积，使大口径光学元件吸收型缺陷分布的快速检测成为可行。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 电子科技大学 |
| 发明人： | 李斌成;孙启明;樊俊琪 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811470960.9 |
| 公开号： | CN109444166A |
| 分类号： | G01N21/95(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 |
| 主权项： | 1.一种大口径光学元件表面及亚表面吸收型缺陷分布快速成像的方法，其特征在于：运用高能量脉冲激光1、经过准直扩束系统2后对光学元件6进行照射加热，光学元件表面及亚表面的吸收型缺陷7由于光吸收产生的温升以及热扩散在样品内形成瞬态温度分布以及折射率分布，经过一定的时间延迟后，运用另一束低能量脉冲激光3、经过准直扩束系统4和合束镜5，形成大尺寸探测光斑穿过光学元件被高能量激光脉冲1照射的相同区域，其衍射光场分布经4f光学系统8和窄带滤光片9后被CCD10记录。通过控制激励激光脉冲和探测激光脉冲之间的延迟时间并分析CCD记录的衍射光场图像特征确定光学元件被照射区域是否存在吸收型缺陷以及相应特征。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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