专利名称: |
一种微结构气体探测器及其制备方法 |
摘要: |
本申请公开了一种用于微结构气体探测器的阻性电极的制备方法,其中,所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极;发明人发现,锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关,可以通过调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极;并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极的制备材料而言,具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点,从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度,降低了微结构气体探测器的整体制备难度,进而降低了微结构气体探测器的成本,另一方面提高了阻性电极的品质,提升了微结构探测器的性能指标。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
安徽;34 |
申请人: |
中国科学技术大学 |
发明人: |
张志永;丰建鑫;周意;刘建北;邵明 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811331007.6 |
公开号: |
CN109444224A |
代理机构: |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人: |
骆宗力;王宝筠 |
分类号: |
G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |
主权项: |
1.一种微结构气体探测器,其特征在于,包括:基板,所述基板具有相对的第一面和第二面,所述第一面具有探测区域;位于所述基板一侧,至少覆盖所述探测区域的阻性电极,所述阻性电极为锗金属膜;位于所述阻性电极背离所述基板一侧的支撑层;位于所述支撑层背离所述基板一侧的阴极。 |
所属类别: |
发明专利 |