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一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法
| 专利名称： | 一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法，该方法借助氩原子存在激发能态较低的亚稳态，容易电离产生电子的优势，增加电子数密度，提高等离子体的发射光谱强度，改善表面增强激光诱导击穿光谱技术（SENLIBS）的检测极限。相对于现有的SENLIBS技术预处理方法，本发明方法避免了现有预处理方法（如液‑液萃取，化学置换）的繁琐性，提高了SENLIBS技术的分析效率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 安徽师范大学 |
| 发明人： | 杨新艳;崔执凤;姚关心;郑贤锋;黄静春;李宽国;袁扬胜;刘小明;左则文;卢宁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811282609.7 |
| 公开号： | CN109507171A |
| 分类号： | G01N21/71(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 241002 安徽省芜湖市九华南路189号 |
| 主权项： | 1.一种表面增强激光诱导击穿光谱增强方法，其特征在于，该方法采用氩气辅助表面增强诱导击穿光谱（SENLIBS）技术，借助氩原子存在激发能态较低的亚稳态，容易电离产生电子的优势，增加电子数密度，提高等离子体的发射光谱强度，改善表面增强激光诱导击穿光谱技术的检测极限。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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