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用于穿孔和过熔的光学检测的方法和设备
| 专利名称： | 用于穿孔和过熔的光学检测的方法和设备 |
| 摘要： | 本公开的一些方面提供了一种检测连续构建处理中的缺陷的方法。该方法包括将粉末层施加到构建表面。该方法包括熔融粉末层的至少一部分以形成部件的一部分。该方法包括检测由熔融产生的电磁辐射的特定频带。在一个方面中，电磁辐射的特定频带是紫外(UV)辐射。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 美国;US |
| 申请人： | 通用电气公司 |
| 发明人： | 托马斯·格拉哈姆·斯皮尔斯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-01-03T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-30T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201880007482.X |
| 公开号： | CN110192102A |
| 代理机构： | 上海华诚知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 肖华 |
| 分类号： | G01N21/88(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 美国纽约州 |
| 主权项： | 1.一种检测连续构建处理中的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括： 将粉末层施加到粉末床； 熔融所述粉末层的至少一部分，以形成部件的一部分；和 检测由所述熔融产生的电磁辐射的特定频带。 2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中电磁辐射的所述特定频带是紫外辐射。 3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括，一旦检测到电磁辐射的所述特定频带，就产生警报。 4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括，响应于产生所述警报而停止构建处理。 5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述检测进一步包括确定已经发生过熔或穿孔操作。 6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述检测进一步包括检测由所述熔融形成的所述过熔或穿孔的特性。 7.一种用于检测连续构建处理中的缺陷的设备，其特征在于，所述设备包括： 用于接收粉末层的构建表面； 用于熔融所述粉末层的至少一部分的激光器；和 用于检测由所述熔融产生的辐射的特定频带的光电检测器。 8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中所述特定频带是紫外(UV)辐射。 9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中，所述光电检测器包括固态半导体。 10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中所述光电检测器包括光电倍增管。 11.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中所述光电检测器包括调整到辐射的所述特定频带的带通滤光器、陷波滤光器，短波滤光器和长通滤光器中的一个。 12.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，其中所述光电检测器被构造成，一旦检测到辐射的所述特定频带，就产生警报。 13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，其中，所述设备被构造成响应于所述警报而停止所述连续构建处理。 14.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中，所述光电检测器进一步用于检测过熔或穿孔操作。 15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，其中所述光电检测器进一步用于检测由所述过熔或穿孔操作形成的所述过熔或穿孔的特性。 16.如权利要求7所述的设备，其特征在于，其中所述光电传感器被安装在离轴坐标系上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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