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原文传递一种芯片内部缺陷检测方法及系统

专利名称：	一种芯片内部缺陷检测方法及系统
摘要：	本发明提供的芯片内部缺陷检测方法及系统，基于X射线吸收成像原理，利用X射对待测芯片进行多个照射角度投影成像，重构断层图像信息，再通过断层图像的叠加去噪等处理得到高分辨率的三维图像，快速提取封装芯片内部缺陷的三维信息，提升工作效率，同时也具有适用范围广、可推广性和可迁移性强的特点，对多种电子元器件的检测均适用。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	合刃科技(深圳)有限公司
发明人：	王星泽;倪一帆
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910336438.X
公开号：	CN110133014A
代理机构：	深圳市新虹光知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	郭长龙
分类号：	G01N23/046(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	518000 广东省深圳市南山区粤海街道海天一路19号深圳市软件产业基地4栋A座1102
主权项：	1.一种芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：控制待测芯片进行自转，每当所述待测芯片转过预设角度时利用X射线对所述待测芯片进行照射，得到若干具有不同照射角度的二维投影图像；将每个照射角度对应的二维投影图像进行拆分得到一维投影，由所述一维投影组成一维投影序列，其中，所述一维投影代表所述待测芯片的一个断层的投影信息；根据不同照射角度相对应的一维投影分别重构所述待测芯片相应断层的二维图像；利用所有断层的二维图像重构所述待测芯片的三维图像，所述三维图像用于确定所述待测芯片是否出现内部缺陷。 2.根据权利要求1所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述控制待测芯片进行自转，每当所述待测芯片转过预设角度时利用X射线对所述待测芯片进行照射，得到若干具有不同照射角度的二维投影图像，包括：预先设定X射线的曝光间隔，所述待测芯片围绕自身中心线进行匀速旋转，放射源发出的X射线按照预设曝光间隔对所述待测芯片进行照射，探测器探测到若干具有不同照射角度的二维投影图像。 3.根据权利要求2所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述待测芯片的旋转轴垂直于所述放射源和所述探测器中心之间的连线。 4.根据权利要求1所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述根据不同照射角度相对应的一维投影分别重构所述待测芯片相应断层的二维图像，包括：采用滤波反投影算法和所述投影信息重建相应断层的二维图像。 5.根据权利要求4所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述采用滤波反投影算法和所述投影信息重建相应断层的二维图像，包括：对断层的每个一维投影进行一维傅立叶变换，再利用滤波函数进行加窗处理后进行逆傅里叶变换得到滤波后的投影图像，对所述投影图像进行反投影处理得到相应投影方向上断层图像的密度分配信息，将全部反投影进行叠加重构得到断层的二维图像。 6.根据权利要求4所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述待测芯片的原始三维模型图按照断层重构三维图像的标定系数进行空间物理尺寸和图像尺度之间的转化，得到以像素为单位的原始三维点云图。 7.根据权利要求6所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述待测芯片重构得到的三维图像与所述原始三维点云图进行三维几何校正，对校正过程进行亚像素级对比运算，得到所述待测芯片与所述原始三维模型图之间的缺陷信息。 8.根据权利要求7所述的芯片内部缺陷检测方法，其特征在于，所述将所述待测芯片重构得到的三维图像与所述原始三维点云图进行三维几何校正，对校正过程进行亚像素级对比运算，得到所述待测芯片与所述原始三维模型图之间的缺陷信息之前，所述方法还包括：对所述三维图像进行三维点云配准。 9.一种芯片内部缺陷检测系统，其特征在于，包括放射源、用于放置待测芯片的回转台、探测器以及上位机，回转台带动所述待测芯片转动，由所述放射源发出的X射线照射按照预定曝光间隔照射在所述待测芯片，由所述探测器将照射得到的二维投影图像发送到所述上位机，所述上位机将每个照射角度对应的二维投影图像进行拆分得到一维投影，由所述一维投影序列组成一维投影序列，获取不同照射角度相对的一维投影分别重构所述待测芯片相应断层的二维图像，利用所有断层的二维图像重构所述待测芯片的三维图像，所述三维图像用于确定所述待测芯片是否出现内部缺陷，其中，所述一维投影代表所述待测芯片的一个断层的投影信息。
所属类别：	发明专利