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原文传递一种硅片的处理方法、检测方法及处理装置

专利名称：	一种硅片的处理方法、检测方法及处理装置
摘要：	本发明提供一种硅片的处理方法、检测方法及处理装置，处理方法包括：将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面；对硅片的表面进行干燥；将干燥后的硅片进行热处理，以在硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰。根据本发明的硅片的处理方法，将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面，对硅片的表面进行干燥，将干燥后的硅片进行热处理，以在硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰，通过上述方法能够大大提高金属缀饰的均匀性，以及可以有效控制金属污染的计量；并且仅使用微量的金属溶液，避免浪费和重金属污染；另外该放方法避免了人员的直接接触，安全性提高；且硅片表面易于干燥，铜分布均匀，提高硅片表面缺陷观察检测的准确性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	张婉婉;文英熙;柳清超
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-03T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-30T00:00:00+0800
申请号：	CN201910477898.4
公开号：	CN110187061A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	许静;胡影
分类号：	G01N33/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种硅片的处理方法，其特征在于，包括：将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面；对所述硅片的表面进行干燥；将干燥后的所述硅片进行热处理，以在所述硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰。 2.根据权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述硝酸铜溶液的浓度为0.1-10ppm，所述雾化气的喷洒速度为0.01-5毫升/分钟，所述雾化气的喷洒时间为1-20分钟。 3.根据权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面，包括：在密闭环境下将硝酸铜溶液雾化成的雾化气喷洒在所述硅片的表面。 4.根据权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，将干燥后的所述硅片进行热处理，包括：将干燥后的所述硅片置于600-1000℃下热处理0.1-10小时；将热处理后的所述硅片置于1000-1200℃下热处理0.1-10小时。 5.根据权利要求1所述的硅片的处理方法，其特征在于，还包括：在将干燥后的所述硅片进行热处理之后，将热处理后的所述硅片置于择优腐蚀液中进行腐蚀。 6.根据权利要求5所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述择优腐蚀液为重铬酸钾与氢氟酸的水溶液。 7.一种硅片的缺陷检测方法，其特征在于，包括：利用如权利要求1-6中任一项所述的处理方法处理待检测的硅片；利用光学显微镜或扫描隧道显微镜观察处理后的所述硅片的表面。 8.一种处理装置，其特征在于，包括：容器，用于放置待处理的硅片；雾化器，用于将溶液雾化为雾化气；喷嘴，所述喷嘴与所述雾化器连通，用于向所述硅片的表面喷洒所述雾化气。 9.根据权利要求8所述的处理装置，其特征在于，所述喷嘴喷洒雾化气的速度为0.01-5毫升/分钟。 10.根据权利要求8所述的处理装置，其特征在于，处理装置还包括用于向所述雾化器供应所述溶液的储液槽。
所属类别：	发明专利