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原文传递集成车载充电机电路及制造方法、集成车载充电机

专利名称：	集成车载充电机电路及制造方法、集成车载充电机
摘要：	本申请公开了一种集成车载充电机电路及制造方法、集成车载充电机，包括原边处理电路、变压器、第一副边处理电路、第二副边处理电路；所述原边处理电路连接市电；所述第一副边处理电路连接动力电池；所述第二副边处理电路连接低压电池，所述原边处理电路、所述变压器和所述第一副边处理电路形成的第一处理电路，用于将所述市电的电能传输到所述动力电池；所述第一副边处理电路、所述变压器和所述第二副边电路形成第二处理电路，用于将所述动力电池的电能传输到所述低压电池，更好的实现由高压动力电池为低压蓄电池充电。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳欣锐科技股份有限公司
发明人：	赵德琦;莫光铖;吴壬华
专利状态：	有效
申请日期：	2018-09-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-03T00:00:00+0800
申请号：	CN201880006909.4
公开号：	CN110198862A
代理机构：	广州三环专利商标代理有限公司
代理人：	郝传鑫;熊永强
分类号：	B60L53/20(2019.01);B;B60;B60L;B60L53
申请人地址：	518055 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园C1栋14楼
主权项：	1.一种集成车载充电机电路，其特征在于，包括原边处理电路、变压器、第一副边处理电路、第二副边处理电路；所述变压器包括原边绕组、铁芯、第一副边绕组和第二副边绕组，所述原边绕组、所述第一副边绕组和所述第二副边绕组设置于所述铁芯上；所述原边处理电路连接市电；所述第一副边处理电路连接动力电池；所述第二副边处理电路连接低压电池；所述原边处理电路、所述变压器和所述第一副边处理电路形成第一处理电路，所述第一处理电路用于将所述市电的电能传输到所述动力电池；所述第一副边处理电路、所述变压器和所述第二副边电路形成第二处理电路，所述第二处理电路用于将所述动力电池的电能传输到所述低压电池；所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总漏感与所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总宽度成反比例关系。 2.根据权利要求1所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述原边绕组、所述第一副边绕组与所述第二副边绕组的总漏感与所述原边绕组、所述第一副边绕组和所述第二副边绕组的总宽度w的关系式为：其中，L为所述原边绕组、所述第一副边绕组和所述第二副边绕组的总漏感，NP为所述原边绕组的匝数，MLT为单匝的平均匝长，b为所述原边绕组与绕组i的内外径之差，所述绕组i为所述第一副边绕组或所述第二副边绕组，w为所述原边绕组、所述第一副边绕组和所述第二副边绕组的总宽度。 3.根据权利要求1或2所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述第一副边绕组和所述第二副边绕组之间的距离L的范围为5mm-50mm。 4.根据权利要求3所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述原边绕组与所述第一副边绕组的线圈结构为三明治绕法结构。 5.根据权利要求1所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述原边处理电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、第一电容C1和第一电感L1，其中：所述晶体管Q1的漏极连接所述晶体管Q3的漏极，所述晶体管Q3的源极连接所述晶体管Q4的漏极，所述晶体管Q4的源极连接所述晶体管Q2的源极，所述晶体管Q2的漏极连接所述晶体管Q1的源极；所述二极管D1的负极连接所述晶体管Q1的漏极，所述二极管D1的正极连接所述晶体管Q1的源极，所述二极管D2的负极连接所述晶体管Q2的漏极，所述二极管D2的正极连接所述晶体管Q2的源极，所述二极管D3的负极连接所述晶体管Q3的漏极，所述二极管D3的正极连接所述晶体管Q3的源极，所述二极管D4的负极连接所述晶体管Q4的漏极，所述二极管D4的正极连接所述晶体管Q4的源极；所述第一电感L1的第一端分别连接所述晶体管Q1的源极、所述二极管D1的正极、所述晶体管Q2的漏极和所述二极管D2的负极，所述第一电感L1的第二端连接所述原边绕组的第一端，所述原边绕组的第二端连接所述第一电容C1的第一端，所述第一电容C1的第二端分别连接所述晶体管Q3的源极、所述二极管D3的正极、所述晶体管Q4的漏极和所述二极管D4的负极。 6.根据权利要求1所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述第一副边处理电路包括晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q7、晶体管Q8、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、第二电容C2和第三电容C3，其中：所述晶体管Q5的漏极连接所述晶体管Q7的漏极，所述晶体管Q7的源极连接所述晶体管Q8的漏极，所述晶体管Q8的源极连接所述晶体管Q6的源极，所述晶体管Q6的漏极连接所述晶体管Q5的源极；所述二极管D5的负极连接所述晶体管Q5的漏极，所述二极管D5的正极连接所述晶体管Q5的源极，所述二极管D7的负极连接所述晶体管Q7的漏极，所述二极管D7的正极连接所述晶体管Q7的源极，所述二极管D8的负极连接所述晶体管Q8的漏极，所述二极管D8的正极连接所述晶体管Q8的源极，所述二极管D6的负极连接所述晶体管Q6的漏极，所述二极管D6的正极连接所述晶体管Q6的源极；所述第一副边绕组的第一端分别连接所述晶体管Q5的源极、所述二极管D5的正极、所述晶体管Q6的漏极和所述二极管D6的负极，所述第一副边绕组的第二端连接所述第二电容C2的第一端，所述第二电容C2的第二端分别连接所述晶体管Q7的源极、所述二极管D7的正极、所述晶体管Q8的漏极和所述二极管D8的负极，所述第三电容C3的正极分别连接所述晶体管Q5的漏极、所述二极管D5的负极、所述晶体管Q7的漏极和所述二极管D7的负极，所述第三电容C3的负极分别连接所述晶体管Q6的源极、所述二极管D6的正极、所述晶体管Q8的源极和所述二极管D8的正极。 7.根据权利要求5或6任一项所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3、所述晶体管Q4、所述晶体管Q5、所述晶体管Q6、所述晶体管Q7、所述晶体管Q8均为N型原边MOSFET管。 8.根据权利要求1所述的集成车载充电机电路，其特征在于，所述第二副边处理电路包括二极管D9、二极管D10和第四电容C4，其中：所述第二副边绕组的第一端连接所述二极管D9的正极，所述二极管D9的负极连接所述第四电容C4的第一端及所述二极管D10的负极，所述第四电容C4的第二端连接在所述第二副边绕组的第二端上，所述第二副边绕组的第二端接地，所述第二副边绕组的第三端连接所述二极管D10的正极，所述二极管D10的负极连接在所述二极管D9与所述第四电容C4的连接线上。 9.一种集成车载充电机，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的集成车载充电机电路。 10.一种集成车载充电机电路的制造方法，其特征在于，应用于包括原边处理电路、变压器、第一副边处理电路、第二副边处理电路，所述方法包括：所述变压器包括原边绕组、铁芯、第一副边绕组和第二副边绕组，所述原边绕组、所述第一副边绕组和所述第二副边绕组设置于所述铁芯上；将所述原边处理电路连接市电；将所述第一副边处理电路连接动力电池；将所述第二副边处理电路连接低压电池；将所述原边处理电路、所述变压器和所述第一副边处理电路形成第一处理电路，所述第一处理电路用于将所述市电的电能传输到所述动力电池；将所述第一副边处理电路、所述变压器和所述第二副边电路形成第二处理电路，所述第二处理电路用于将所述动力电池的电能传输到所述低压电池；其中，所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总漏感与所述原边绕组、所述第一副边绕组以及所述第二副边绕组的总宽度成反比例关系。
所属类别：	发明专利