专利名称: |
基于PL干涉现象的激光改性测量薄膜折射率和厚度的方法 |
摘要: |
本发明涉及一种基于PL干涉现象的激光改性测量薄膜折射率和厚度的方法,属于激光改性及测量领域。该方法基于飞秒激光微纳加工系统,包括以下步骤:通过将购买的GaN基LED外延片样品放到已有的六自由度平移台上,激光通过平凸聚焦在样品表面。激光的能量可以通过衰减片调节,重复频率,扫描速度,扫描间隔可以通过已有的程序进行调节。测量加工后样品的PL谱线,对谱线进行后续分析计算,可以得出样品的折射率和厚度。对比现有技术,本发明提供的方法通过测量飞秒激光改性后样品的光致发光谱线,分析得到的谱线进而可以计算样品折射率和厚度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
北京理工大学 |
发明人: |
姜澜;孙靖雅;谢钰铎 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-08T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-09-03T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910379230.6 |
公开号: |
CN110196240A |
代理机构: |
北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
邬晓楠 |
分类号: |
G01N21/45(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号 |
主权项: |
1.基于PL干涉现象的激光改性测量薄膜折射率和厚度的方法,其特征在于:包括以下步骤: 步骤一、采用飞秒激光对清洗干净的薄膜材料进行表面改性;所述激光能量为40-80mJ/cm2;清洗干净后得到样品; 步骤二、将步骤一得到的样品放入光致发光光谱系统中,测量所述样品表面的PL谱线; 步骤三、通过下述公式对步骤二测量过程中产生的干涉现象进行计算分析,能够同时得出所加工样品的折射率和厚度; 所述公式为 厚度L计算如公式(1)所示: 其中n(λ)是柯西色散公式,λpeak是第i个波峰处所对应的波长; 其中A0,A1,A2是柯西色散公式的系数;λ是PL振荡曲线波峰处对应的波长; 通过厚度计算样品的折射率n,如公式(3)所示: Δλ是两个波峰之间的间隔;λ1是He-Ne激光激发的电子-空穴对复合后被采集到的波峰值,是柯西色散公式对λ求导。 |
所属类别: |
发明专利 |