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原文传递一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构

专利名称：	一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构
摘要：	本发明公开一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构。本发明从下至上包括Si衬底、金属层、SiN支撑膜、“回”形结构有机膜；将待测薄膜沉积在“回”形结构有机膜上表面，然后撕去“回”形结构有机膜，待测薄膜仅保留在“回”形结构有机膜中间镂空部分所在位置，最终采用稳态测量方法或瞬态测量方法进行测试。采用本发明结构检测周期短，步骤简单，测试结果偏差较小，保证一致性好，减少了人为操作误差，并提高了效率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	杭州电子科技大学
发明人：	任堃
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-18T00:00:00+0800
申请号：	CN201910536496.7
公开号：	CN110346407A
代理机构：	杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	朱亚冠
分类号：	G01N25/20(2006.01);G;G01;G01N;G01N25
申请人地址：	310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
主权项：	1.一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于从下至上包括Si衬底、金属层、SiN支撑膜、“回”形结构有机膜；所述的Si衬底中间开有两个矩形通孔；两个矩形通孔长边相互平行；所述的金属层包括十字形结构，金属线，八个电极；十字形结构的上下两臂均开有一条与X轴向平行的两端开放式缝隙；每条缝隙内存在一条金属线，金属线的每一端与外部两个电极连接；两端开放式缝隙位于Si衬底矩形通孔的正上方，且尺寸相同；上述金属层中十字形结构减去两端开放式缝隙的区域为热沉区域；所述的SiN支撑膜位于金属层十字形结构的上方，且正好覆盖两端开放式缝隙和热沉区域，但不覆盖电极区域；所述的“回”形结构有机膜中间镂空部分位于SiN支撑膜区域上方，使得SiN支撑膜区域和热沉区域暴露，但不使电极区域暴露。 2.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于矩形通孔长度为200-1000um，宽度为50-500um。 3.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于SiN支撑膜厚度范围为10-500nm。 4.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于金属线的宽度为1-20um。 5.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于金属层的材质为Au或Pt，厚度为10-200nm。 6.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于整个结构长和宽的范围均为0.5cm-5cm。 7.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于“回”形结构有机膜材质为聚氯乙烯(PVC)。 8.如权利要求1所述的一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构，其特征在于将待测薄膜沉积在“回”形结构有机膜上表面，然后撕去“回”形结构有机膜，待测薄膜仅保留在“回”形结构有机膜中间镂空部分所在位置，最终采用稳态测量方法或瞬态测量方法进行测试。
所属类别：	发明专利