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原文传递生片形成用剥离膜

专利名称：	生片形成用剥离膜
摘要：	本发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1)，其中，该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面(11A)的剥离剂层(12)，上述剥离剂层(12)由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(4)表示的含有两性离子的基团的含离子性基团的有机硅化合物。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	琳得科株式会社
发明人：	佐藤庆一;深谷知巳
专利状态：	有效
申请日期：	2018-02-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201880016630.4
公开号：	CN110382186A
代理机构：	北京市柳沈律师事务所
代理人：	王利波
分类号：	B28B1/30(2006.01);B;B28;B28B;B28B1
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种生片形成用剥离膜，其用于形成生片，该生片形成用剥离膜具备：基材、和设置于所述基材的一面的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物，在所述通式(1)中， R1及R2任选相同或不同，分别表示碳原子数为1～6的烷基、或苯基，在所述通式(2)中， R3表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、或苯基， L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2价基团， Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团，在所述通式(3)中， l为1～4的整数，m为1～10的整数，在所述通式(4)中， R4及R5任选相同或不同，表示碳原子数1～6的烷基、苯基、碳原子数1～6的氟取代烷基、或碳原子数1～6的含羟基的羟基烷基， R4及R5任选形成环，且在形成环时表示亚烷基， n为3～6的整数。 2.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，所述(A)固化性化合物为(A1)能量射线固化性化合物。 3.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，所述(A)固化性化合物为(A2)热固性化合物。 4.根据权利要求1～3中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，所述(B)含离子性基团的有机硅化合物具有选自碳原子数2～6的烯基、丙烯酰基、硫羟基及氢化甲硅烷基中的至少1种反应性官能团。 5.根据权利要求1～4中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下，且所述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为80nm以下。
所属类别：	发明专利