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原文传递评价晶片清洗效率的方法及实验装置

专利名称：	评价晶片清洗效率的方法及实验装置
摘要：	本发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置，解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验，获得表面带有缺陷的沾染晶片样品；使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗前缺陷数；将清洗液滴入旋转中的沾染晶片样品表面进行清洗实验，得到清洗晶片样品；使用形貌表征仪器对清洗晶片样品再次进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗后缺陷数；通过以下公式(A)进行清洗效率的计算，使用专用的实验装置进行沾染实验和清洗实验，具有测量方法简单可靠、准确性高、能为清洗液配方研究提供有力指导。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	武汉鼎泽新材料技术有限公司
发明人：	刘子龙;胡怀志;冉运;朱顺全
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201910720622.4
公开号：	CN110398500A
代理机构：	武汉开元知识产权代理有限公司
代理人：	涂洁
分类号：	G01N21/94(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	430057 湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号办公楼6楼608室
主权项：	1.一种评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，包括一体式的清洗装置，其包括：真空旋转装置，用于真空吸附晶片样品并带动晶片样品旋转；注射装置，用于将粘染物溶液或清洗液注射至晶片样品表面；和支架，用于支撑所述真空旋转装置和所述注射装置。 2.如权利要求1所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，还包括与所述清洗装置联用的用于分析清洗前后样品缺陷情况的分析装置，优选地，所述分析装置包括形貌表征仪器，更优选地，所述形貌表征仪器为原子力显微镜或白光干涉仪。 3.如权利要求1所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，所述真空转旋装置包括表面开有真空槽的真空吸盘、控制旋转电机带动真空吸盘转动的旋转控制器、以及经真空气管与真空槽底部连通的真空泵。 4.如权利要求3所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，所述真空吸盘位于屏蔽罩中，所述屏蔽罩顶面设有玻璃罩。 5.如权利要求1～4任一项所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，所述注射装置包括注射器以及带动注射器的活塞杆运动的加压推动装置,所述注射器的针头为非金属材料。 6.如权利要求5所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，所述加压推动装置包括连接有步进控制器的丝杆式步进电机或伸缩式气缸，其中，所述丝杆式步进电机通过推杆带动推动顶片与所述活塞杆连接。 7.如权利要求5所述的评价晶片清洗效率的实验装置，其特征在于，所述注射器的针头前端距离晶片样品表面的垂直距离为8～10mm，所述注射器的针头孔径为0.5～2mm。 8.一种使用如权利要求1～7任一项所述的评价晶片清洗效率的实验装置评价晶片清洗效率的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验，获得表面带有缺陷的沾染晶片样品； (2)使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗前缺陷数； (3)将清洗液滴入旋转中的沾染晶片样品表面进行清洗实验，得到清洗晶片样品； (4)使用形貌表征仪器对清洗晶片样品再次进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗后缺陷数； (5)通过以下公式(A)进行清洗效率的计算: 所述步骤(1)中的沾染实验和步骤(3)中的清洗实验中使用的是权利要求1～7任一项所述的实验装置，在步骤(1)的沾染实验中所述注射器内装有沾染物溶液，在步骤(3)的清洗实验中直接更换对应装有清洗液的注射器。 9.如权利要求8所述的评价晶片清洗效率的方法，其特征在于，步骤(1)的沾染实验和步骤(3)中的清洗实验中，控制粘染物溶液或清洗液的滴落速度为15～45ml/min，控制晶片样品或沾染晶片样品进行两段式旋转，先进行预旋转：控制转速为500～800rpm，时间为60～90s；再切换成高速旋转，转速为1000～2000rpm，时间为100～180s。 10.如权利要求8所述的评价晶片清洗效率的方法，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(4)中缺陷的判定方法为：通过形貌表征仪器对晶片样品表面的凸起进行测量，若凸起的纵向高度阈值大于2nm，则该凸起被记为缺陷，以此类推，计算该晶片样品上的缺陷总数即为缺陷数。
所属类别：	发明专利