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原文传递薄膜桥压式氢气氛传感器

专利名称：	薄膜桥压式氢气氛传感器
摘要：	本发明公开了薄膜桥压式氢气传感器，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层设置于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气和所述温度补偿元件；所述基底层用于绝缘层载体；所述绝缘层用于基底层隔离。本发明薄膜桥压式氢气传感器能够成倍增敏并自带温度补偿功能，能够适用于微间隙测量，减小了环境交叉干扰。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	中国工程物理研究院总体工程研究所
发明人：	庄志;张毅;李树勇
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-08T00:00:00+0800
申请号：	CN201910864385.9
公开号：	CN110426422A
代理机构：	北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人：	杨春
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	621908 四川省绵阳市绵山路64号
主权项：	1.薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，为多层薄膜式结构，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层覆盖于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气与所述温度补偿元件；所述基底层用于作为传感器件的载体；所述绝缘层用于基底层与敏感层隔离，并使传感器与大地绝缘。 2.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述敏感电阻层还设置有电极层，用于将所述敏感电阻桥路节点引接至外部监控设备。 3.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述敏感电阻桥包括氢敏感电阻R1、温度补偿电阻丝R2、氢敏感电阻R3、温度补偿电阻丝R4、第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点与第四输出节点；所述氢敏感电阻R1第一端接所述温度补偿电阻丝R4第一端、第一输出节点；所述氢敏感电阻R1第二端接所述温度补偿电阻丝R2第一端、第二输出节点；所述温度补偿电阻丝R2第二端接所述氢敏感电阻R3第二端、第三输出节点；所述温度补偿电阻丝R4第二端接所述氢敏感电阻R3第一端、第四输出节点。 4.根据权利要求2所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感电阻R1与温度补偿电阻丝R4设置于敏感电阻层中心线第一侧、所述温度补偿电阻丝R2与氢敏感电阻R3设置于敏感电阻层中心线第二侧，或所述氢敏感电阻R1与与氢敏感电阻R3设置于敏感电阻层中心线第一侧、所述温度补偿电阻丝R2与温度补偿电阻丝R4设置于敏感电阻层中心线第二侧。 5.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述基底层为Si基片。 6.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述基底层厚度为100-400微米，可用于微间隙测试。 7.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述绝缘层材质为SiO2，用于将基地和敏感层及电极隔离并使之与大地绝缘。 8.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感元件与温度补偿元件为钯基贵金属材料。 9.根据权利要求3所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感电阻R1、温度补偿电阻丝R2、氢敏感电阻R3及温度补偿电阻丝R4采用同种材料，且阻值相同。
所属类别：	发明专利