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原文传递生片形成用剥离膜

专利名称：	生片形成用剥离膜
摘要：	本发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1)，其中，该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面的剥离剂层(12)，上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、及(C)剥离赋予成分。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	琳得科株式会社
发明人：	佐藤庆一;深谷知巳
专利状态：	有效
申请日期：	2018-02-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-08T00:00:00+0800
申请号：	CN201880016629.1
公开号：	CN110430981A
代理机构：	北京市柳沈律师事务所
代理人：	杨薇
分类号：	B28B1/30(2006.01);B;B28;B28B;B28B1
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种生片形成用剥离膜，其用于形成生片，该生片形成用剥离膜具备：基材、和设置于所述基材的一面的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、以及(C)剥离赋予成分。 2.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，所述(B)疏水化硅溶胶的平均粒径为10nm以上且100nm以下。 3.根据权利要求1或2所述的生片形成用剥离膜，其中，在形成了所述(B)疏水化硅溶胶的涂膜的情况下，水对所述涂膜的接触角为100°以上。 4.根据权利要求1～3中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，所述剥离剂层的平均厚度为0.2μm以上且2μm以下。 5.根据权利要求1～4中任一项所述的生片形成用剥离膜，其中，所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下，且所述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为50nm以下。
所属类别：	发明专利