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原文传递一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法

专利名称：	一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法
摘要：	一种固相印迹聚合物修饰QCM‑D传感器的制备方法，本方法首先将模板分子固定在磁性四氧化三铁颗粒上，并在分子印迹聚合物的制备过程中引入该固相基质作为模板，从而得固相印迹聚合物，然后采用制备得到的印迹聚合物修饰石英晶体微天平传感器，最后将其成功应用于四环素的特异性识别中。本发明的优点是：采用固相印迹技术制备得到的分子印迹聚合物模板易洗脱，同时将大量印迹位点聚集于表面达到提升印迹聚合物识别能力的目的。采用固相印迹聚合物修饰的QCM‑D传感器，可以选择性地识别低浓度的目标物分子(例如50‑300ng/mL的四环素)。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	辽宁;21
申请人：	大连理工大学
发明人：	胡玉峰;邢瀚文;刘名扬;宋芳漪;吴明火;柳丽芬
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-19T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-12T00:00:00+0800
申请号：	CN201910655514.3
公开号：	CN110441184A
代理机构：	大连理工大学专利中心
代理人：	李晓亮
分类号：	G01N5/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N5
申请人地址：	124221辽宁省盘锦市辽东湾新区大工路2号
主权项：	1.一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，模板分子的固相固定：将用于制备分子印迹聚合物的模板分子固定在二氧化硅修饰的四氧化三铁上； ①通过多元醇法制备得到四氧化三铁，然后采用原硅酸四乙基酯TEOS对其进行修饰，制备得到二氧化硅修饰的四氧化三铁颗粒； ②称取二氧化硅修饰的四氧化三铁颗粒超声分散于乙醇中，向上述溶液中加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷APTES，室温搅拌反应8～16h，反应产物采用乙醇和超纯水清洗后，干燥待用；所述的每1mL APTES，对应加入100～300mg二氧化硅修饰的四氧化三铁颗粒，对应40mL乙醇； ③将步骤②中得到的产物超声分散于含有戊二醛的PBS溶液中，室温反应2h后用乙醇和超纯水清洗产物，干燥待用； ④将步骤③中得到的产物超声分散于PBS溶液中，依次加入模板分子，室温搅拌反应12h之后，用乙醇和超纯水清洗产物，得到已被固定在四氧化三铁上的模板分子；所述的步骤②中APTES、步骤③中戊二醛、步骤④中模板分子的物质的量之比为1:1～2:1；第二步，制备固相印迹聚合物将第一步制备得到的模板分子超声分散于乙醇溶液中，并向其中依次加入甲基丙烯酸MAA、乙二醇二甲基丙烯酸酯EGDMA以及适量偶氮二异丁腈AIBN，室温搅拌30min之后，在N2保护下，于60～80℃反应6～24h，最后采用甲醇乙酸溶液洗脱产物，产物磁性分离后对上清液进行离心，沉淀即为制备得到的固相印迹聚合物；所述m(四氧化三铁固定的模板分子，mg):n(MAA，mmol):n(EGDMA，mmol)＝50～150:0.2～0.6:20；第三步，修饰QCM-D传感器将第二步制备得到的固相印迹聚合物超声分散于含有浓度PVC的四氢呋喃溶液中，将上述溶液滴于清洁的QCM-D芯片上，室温静置1～2h，得到固定印迹聚合物修饰的QCM-D传感器；所述的每1ml四氢呋喃溶液中对应加入1.0～2.0mg固相印迹聚合物；所述的四氢呋喃溶液中PVC浓度0.3～0.6mg/mL。 2.根据权利要求1所述的一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，其特征在于，所述的第一步步骤③和步骤④中，PBS溶液pH＝7.4，浓度为10mmol/L。 3.根据权利要求1或2所述的一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，其特征在于，所述的第二步中甲醇乙酸溶液中，甲醇与乙酸的体积比为9：1。 4.根据权利要求1或2所述的一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，其特征在于，每1.13cm2QCM-D芯片电极上对应滴加10μL溶液。 5.根据权利要求3所述的一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，其特征在于，每1.13cm2QCM-D芯片电极上对应滴加10μL溶液。
所属类别：	发明专利