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原文传递带半导体装置冷却布置的变速驱动桥

专利名称：	带半导体装置冷却布置的变速驱动桥
摘要：	本公开提供了“带半导体装置冷却布置的变速驱动桥”。本公开涉及一种包括变速驱动桥的机动车辆以及相应的方法，所述变速驱动桥具有用于诸如IGBT或MOSFET等半导体装置的冷却布置。特别地，本公开涉及一种机动车辆(诸如电气化车辆)，其包括变速驱动桥、安装在所述变速驱动桥附近的多个半导体装置，和冷却流体源。所述半导体装置暴露于来自所述源的流入所述变速驱动桥的流体。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	福特全球技术公司
发明人：	理查德·马洛;克雷格·罗杰斯
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-12T00:00:00+0800
申请号：	CN201910350314.7
公开号：	CN110435445A
代理机构：	北京连和连知识产权代理有限公司
代理人：	刘小峰
分类号：	B60L50/60(2019.01);B;B60;B60L;B60L50
申请人地址：	美国密歇根州迪尔伯恩市
主权项：	1.一种机动车辆，其包括：变速驱动桥；多个半导体装置，所述多个半导体装置安装在所述变速驱动桥附近；和冷却流体源，所述半导体装置暴露于来自所述源的流入所述变速驱动桥的流体。 2.根据权利要求1所述的机动车辆，其中所述半导体装置是绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)之一。 3.根据前述权利要求中任一项所述的机动车辆，其中所述半导体装置安装在所述变速驱动桥的外壁的外侧上，并且直接暴露于来自所述源的最终流入所述变速驱动桥的流体，或者间接暴露于所述流体。 4.根据权利要求1或2所述的机动车辆，其中所述半导体装置布置在所述变速驱动桥内，并且直接暴露于来自所述源的流入所述变速驱动桥的流体。 5.根据权利要求4所述的机动车辆，其中：所述变速驱动桥包括外壁；并且所述半导体装置由车架支撑，所述车架的长度基本上平行于所述外壁。 6.根据权利要求5所述的机动车辆，其中所述半导体装置与所述外壁间隔开，使得允许流体在所述半导体装置和所述外壁之间流动。 7.根据权利要求6所述的机动车辆，其中所述外壁包括多个孔口，所述多个孔口被配置为引导流体在基本上平行于所述车架的高度的方向上流动。 8.根据权利要求5所述的机动车辆，其中所述变速驱动桥被配置为引导流体在(1)基本上平行于所述车架的长度的方向和(2)基本上平行于所述车架的宽度的方向中的一个上流动。 9.根据权利要求8所述的机动车辆，其中(1)所述车架和(2)所述半导体装置中的一个包括平行于所述流体流动的方向延伸的通道。 10.根据权利要求9所述的机动车辆，其中所述通道形成在所述半导体装置的外表面中，或者形成在所述半导体装置的内部。 11.根据权利要求9所述的机动车辆，其中所述通道形成在所述车架的面向所述半导体装置的表面中。 12.根据前述权利要求中任一项所述的机动车辆，其中所述源包括变速器流体冷却器。 13.根据前述权利要求中任一项所述的机动车辆，其中所述流体是自动变速器流体(ATF)。 14.根据前述权利要求中任一项所述的机动车辆，其还包括：逆变器，所述逆变器被配置为将直流电(DC)改变为交流电(AC)，其中所述逆变器包括所述半导体装置，其中所述车辆是包括电池组和马达的电气化车辆，并且其中所述逆变器电耦合在所述电池组和所述马达之间。 15.一种方法，其包括：通过将半导体装置暴露于变速驱动桥的冷却流体，冷却安装在所述变速驱动桥附近的所述半导体装置。
所属类别：	发明专利