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硅片反射率测量方法及其测量装置
| 专利名称： | 硅片反射率测量方法及其测量装置 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片反射率测量方法，其包括以下步骤：(1)使用具有特定光谱的光源均匀的照射到硅片样品的表面；(2)通过光学镜头将硅片样品表面反射的光聚焦到光电探测器上；(3)光电探测器接收到的光信号转换为电信号，并输出结果；(4)将输出结果与标准样品的测试结果进行比对得出待测硅片样品的反射率。本发明还公开了一种硅片反射率测量装置，整体结构设计合理，能精确、快速测量出硅片反射率，避免主观判断的差异性，速度快、精度高、重复性高，可以对大面积硅片反射率进行测量，实现批量化检量，适用范围广，成本较低，利于广泛推广应用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 松山湖材料实验室 |
| 发明人： | 陈全胜;唐旱波;刘尧平;王燕;杜小龙 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-26T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-11-29T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910791330.X |
| 公开号： | CN110514627A |
| 代理机构： | 深圳市千纳专利代理有限公司 |
| 代理人： | 刘晓敏 |
| 分类号： | G01N21/55(2014.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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