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原文传递 一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器
专利名称: 一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器
摘要: 本发明公开了一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器。包括传感器芯片、传感器阵列、片上裸露源极和片上裸露漏极;传感器芯片表面中心设有传感区域,传感区域中间布置有传感器阵列,传感器阵列是由多个场效应管传感结构紧密阵列均布而成,传感器芯片表面边缘布置有一个片上裸露源极和多个片上裸露漏极,各个场效应管传感结构的源极均连接到同一片上裸露源极,每个场效应管传感结构的漏极连接到不同的片上裸露漏极。本发明能够不损伤地维持测量期间较长时间内细胞正常的生理活动,能够调节初始沟道,能够测量可正可负的细胞膜电位变化,可有效防止培养液中离子对场效应管的腐蚀,提高了稳定性和耐久性。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 浙江大学
发明人: 姚博文;李宇波;张睿;穆卫锋
专利状态: 有效
申请日期: 2019-08-12T00:00:00+0800
发布日期: 2019-12-13T00:00:00+0800
申请号: CN201910740120.8
公开号: CN110568053A
代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
代理人: 林超
分类号: G01N27/60(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
所属类别: 发明专利
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