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基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器
| 专利名称： | 基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器 |
| 摘要： | 一种基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器，所述细胞膜电位传感器包括场效应管漏区和场效应管源区构成的MOS场效应管，所述MOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层金属栅极结构，所述多层金属栅极结构自下而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述金属2层上设有供活体细胞培养的裸露微电极。本发明提供一种实现与标准CMOS工艺兼容、便于集成化的基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江工业大学 |
| 发明人： | 施朝霞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-11-07T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110348912.4 |
| 公开号： | CN102520044A |
| 代理机构： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 |
| 代理人： | 王兵;王利强 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I |
| 申请人地址： | 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区 |
| 主权项： | 一种基于标准CMOS工艺的细胞膜电位传感器，其特征在于：所述细胞膜电位传感器包括场效应管漏区和场效应管源区构成的MOS场效应管，所述MOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层金属栅极结构，所述多层金属栅极结构自下而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述金属2层上设有供活体细胞培养的裸露微电极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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