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一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法
| 专利名称： | 一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法，涉及气体传感材料制备技术领域，包括传感器及其制备方法；所述传感器为横向尺寸1～3μm和厚度1～5nm的纳米薄片状结构，包含钴元素、氧元素和镉元素，所述镉元素含量的原子比为1％～9％；将所述钴离子、所述镉离子、尿素和乙二醇在溶液中进行混合，通过微波水热反应得到氢氧化钴纳米薄片前驱体，然后将传感材料滴加到叉指电极上，通过高温退火将所述氢氧化钴纳米薄片前驱体转变为氧化钴纳米薄片，从而制备得到所述传感器。本发明公开的技术方案与现有技术相比，制备过程中使用的原料来源广泛，成本低，制备得到的传感器，室温条件下响应高，响应速度快，可重复性好。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海交通大学 |
| 发明人： | 杨志;陈辛未;曾敏;苏言杰;胡南滔;周志华 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-09-25T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-13T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910909551.2 |
| 公开号： | CN110568026A |
| 代理机构： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 郑立 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 200240 上海市闵行区东川路800号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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