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一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法
| 专利名称： | 一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法，具体涉及一种利用离子束截面抛光技术制备扫描电子显微镜观察的碳化硅陶瓷截面样品的方法，包括：将碳化硅陶瓷进行离子束截面抛光，得到所述碳化硅陶瓷截面样品；所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为5～8 kV；样品抛光时间为120～300分钟；电流为1.5～3 mA。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 发明人： | 刘紫微;姚秀敏;梁汉琴;张积梅;林初城;姜彩芬;郑维;曾毅 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-09-09T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-13T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910849849.9 |
| 公开号： | CN110567998A |
| 代理机构： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 分类号： | G01N23/2202(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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