详情

原文传递通过离子注入形成导电区的方法

专利名称：	通过离子注入形成导电区的方法
摘要：	本发明提供一种通过三维离子注入法形成导电区的方法。本发明涉及一由聚合物制成的目标器件，在该器件表面上通过注射加速离子形成导电区。该方法的进行如下：引入一器件，提供离子，第一次注射离子，旋转该器件，第二次注射离子，以及卸出该器件。由于重量降低，因此该离子注入方法使运输费用降低，并且保持了透明性，形成均匀导电区，以及免去使用昂贵材料。
专利类型：	发明专利
申请人：	株式会社EPON
发明人：	金镇∴
专利状态：	有效
申请日期：	2000-09-07T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN00124374.8
公开号：	CN1313409
代理机构：	永新专利商标代理有限公司
代理人：	于辉
分类号：	C23C14/48
申请人地址：	韩国汉城
所属类别：	发明专利