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原文传递一种纳米线气体传感器及其制造方法

专利名称：	一种纳米线气体传感器及其制造方法
摘要：	本发明属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及其制造方法，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
发明人：	黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201910942212.4
公开号：	CN110618182A
代理机构：	深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人：	汪海琴
分类号：	G01N27/407(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	518000 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园C3栋22楼
主权项：	1.一种纳米线气体传感器，其特征在于，所述纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根所述纳米线设置在所述衬底的上表面，每个所述纳米线的两端均设置有电极，多根所述纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层。 2.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，多种所述纳米线平行排列在所述衬底的上表面。 3.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，多种所述纳米线包括元素半导体纳米线、金属氧化物半导体纳米线和化合物半导体纳米线中的至少一种。 4.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，化合物半导体纳米线为氮化物半导体纳米线。 5.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，多种所述表面修饰层包括金属催化剂镀层、金属氧化物催化剂镀层、氧化层和半导体金属氧化物层中的至少一种。 6.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，所述表面修饰层和所述纳米线形成芯包层结构。 7.根据权利要求1所述的纳米线气体传感器，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或石英衬底。 8.一种电子鼻系统，其特征在于，所述电子鼻系统包括如权利要求1至5任意一项所述的纳米线气体传感器。 9.一种纳米线气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的上表面生长多根纳米线；在多根所述纳米线的两端镀电极；隔开每根所述纳米线的所述电极；分别对多根所述纳米线进行表面修饰，以使多根所述纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层。 10.根据权利要求9所述的纳米线气体传感器的制造方法，其特征在于，所述分别对多根所述纳米线进行表面修饰，以使多根所述纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层包括：在所述衬底的上表面和多根所述纳米线的表面涂覆光刻胶以形成光刻胶层；通过显影除去目标纳米线的表面的所述光刻胶层；在所述光刻胶层的上表面和所述目标纳米线的表面生长所述表面修饰层；除去所述光刻胶层以及所述光刻胶层上表面的所述表面修饰层。 11.根据权利要求9所述的纳米线气体传感器的制造方法，其特征在于，所述在衬底的上表面生长多根纳米线具体为：通过介电泳技术或桥接生长技术在在衬底的上表面生长平行排列的多根纳米线。
所属类别：	发明专利