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原文传递碳化硅晶棒多线切割方法

专利名称：	碳化硅晶棒多线切割方法
摘要：	一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有压应力的压应力型端面；在所述压应力型端面粘贴碟形陪片；对粘贴有所述碟形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述碟形陪片的晶片成为端面晶片；分离所述碟形陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	福建;35
申请人：	厦门芯光润泽科技有限公司
发明人：	卓廷厚;罗求发;黄雪润
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-17T00:00:00+0800
申请号：	CN201910114125.X
公开号：	CN109760223A
代理机构：	厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	吴圳添
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-76
主权项：	1.一种碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有压应力的压应力型端面；在所述压应力型端面粘贴碟形陪片；对粘贴有所述碟形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述碟形陪片的晶片成为端面晶片；分离所述碟形陪片和所述端面晶片。 2.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述碟形陪片越靠近中心的部分，厚度越大。 3.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在所述压应力型端面粘贴所述碟形陪片之前，对所述压应力型端面进行表面处理，使所述压应力型端面的粗糙度达到0.8μm以下。 4.根据权利要求3所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在所述压应力型端面粘贴所述碟形陪片之前，还包括：对所述碟形陪片的贴合面进行表面处理，使所述碟形陪片的贴合面粗糙度达到0.8μm以下。 5.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述碟形陪片的材料为石英玻璃、单晶硅、蓝宝石或碳化硅中的一种。 6.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述碳化硅晶棒的端面不具有晶体缺陷时，所述碟形陪片具有第一平均厚度，所述的第一平均厚度的范围为800μm～2000μm；所述碳化硅晶棒的端面具有晶体缺陷时，所述碟形陪片的平均厚度为所述第一平均厚度基础上，再增加500μm～1000μm；所述晶体缺陷包括异晶型夹杂、碳包裹体、微管、空洞和微型裂痕。 7.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，采用黄蜡、AB胶、UV胶、压敏胶、乳胶中的一种或几种粘所述贴碟形陪片。 8.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在分离所述碟形陪片和所述端面晶片后，对所述端面晶片进行退火处理。 9.根据权利要求8所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述退火处理包括在1200℃～2000℃条件下对所述端面晶片进行退火6～12h。 10.根据权利要求9所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在所述退火处理后，对所述端面晶片进行面型精度检测。
所属类别：	发明专利