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原文传递 一种测量非晶薄膜相变的系统及测量非晶薄膜相变的方法
专利名称: 一种测量非晶薄膜相变的系统及测量非晶薄膜相变的方法
摘要: 本发明具体公开了一种测量非晶薄膜相变的系统及测量方法,系统包括样品台、测电阻装置、原位加热及测试装置和上位机;测电阻装置包括电流表、电压表和两个探针;原位加热及测试装置包括加热台、导热片、测温元件和温度表;导热片置于加热台上,待测试样品置于导热片上,电流表和电压表均与探针的一端连接,探针的另一端搭接于待测试样品上;测温元件一端搭接于待测试样品的一端,测温元件另一端通过温度表与上位机连接。使电流表输出恒定的电流,随着温度的变化,在上位机上输出电压随温度变化的曲线,然后得到电阻对温度的变化曲线,分析电阻随温度的变化,间接监测材料微观结构的变化,研究非晶薄膜的相变行为。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 陕西;61
申请人: 西安交通大学
发明人: 吴凯;张金钰;王亚强;刘刚;孙军
专利状态: 有效
申请日期: 2018-12-26T00:00:00+0800
发布日期: 2019-05-17T00:00:00+0800
申请号: CN201811603358.8
公开号: CN109765270A
代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
代理人: 徐文权
分类号: G01N27/04(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
主权项: 1.一种测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,包括样品台(1)、测电阻装置、原位加热及测试装置和上位机(10);测电阻装置包括电流表(2)、电压表(3)和两个探针(4);原位加热及测试装置包括加热台(5)、导热片(6)、测温元件(8)和温度表(9); 导热片(6)置于加热台(5)上,待测试样品(7)置于导热片(6)上,电流表(2)的接线与两个探针(4)的一端连接,电压表(3)的接线与两个探针(4)的一端连接,两个探针(4)的另一端搭接于待测试样品(7)上; 测温元件(8)一端搭接于待测试样品(7)的一端,测温元件(8)另一端与温度表(9)连接,温度表(9)和电压表(3)均与上位机(10)连接; 样品台(1)上设有温控系统(13),用于调节样品台(1)的温度。 2.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,测电阻装置还包括并线表(11),电流表(2)和电压表均通过并线表(11)与两个探针(4)的一端连接。 3.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,测温元件(8)采用热电偶、温度传感器、热电阻或热敏电阻。 4.根据权利要求3所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,测温元件(8)采用热电偶时,热电偶的冷端通过零度恒温器(12)与温度表(9)连接。 5.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,温控系统(13)包括电脑板、加热板、温度传感器和冷却装置,加热板、温度传感器和冷却装置均与电脑板连接,温度传感器用于将测得的温度信号反馈给电脑板,电脑板用于控制加热板和冷却装置。 6.根据权利要求5所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,冷却装置采用循环水冷却或液氮冷却。 7.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,导热片采用铜片、金片或银片。 8.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,电流表(2)、电压表(3)、温度表(9)采用Keithley表。 9.根据权利要求1所述的测量非晶薄膜相变的系统,其特征在于,上位机(10)采用台式电脑或笔记本。 10.采用权利要求1~9所述系统测量非晶薄膜相变的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一、样品测试:将待测试样品(7)放置在导热片(6)上,将两个探针(4)搭置在待测试样品(7)两端;将温度表(9)归零,电流表(2)输出稳定的恒定电流I0,通过温控系统(13)调节样品台(1)的温度,开始加热测试; 步骤二、数据处理:经过步骤一的样品测试,在上位机(10)上会输出电压随温度变化的U-T曲线,用电压U除以恒定电流I0,得到电阻随温度的变化R-T曲线; 步骤三、数据分析:分析电阻的变化,随着温度的增加,当到达某个温度值时,电阻开始明显降低,表明在此温度附近非晶薄膜的无序性开始降低,逐渐发生无序到有序结构的转变。
所属类别: 发明专利
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