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原文传递一种氯硅烷前处理方法

专利名称：	一种氯硅烷前处理方法
摘要：	本发明公开了一种氯硅烷前处理方法，包括如下步骤：S1将多晶硅生产工艺中精馏后的溶液进行样品液的提取；S2将样品液转移到离心管中；S3将离心管放置到离心机中；S4启动离心机进行离心；S5取离心后的离心管的上层清液；S6取上层清液用色谱仪进行分析。本发明的氯硅烷前处理方法减免了气相色谱仪器进样针、进样系统和分离系统的备件消耗，节约成本。通过此技术可以有效的提供生产分析数据，有效指导生产对脏物料成分含量有明确的判定依据。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	内蒙古;15
申请人：	内蒙古通威高纯晶硅有限公司
发明人：	曾一文;甘居富;游书华;彭中;王亚萍
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-21T00:00:00+0800
申请号：	CN201910098826.9
公开号：	CN109781888A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	王学强;罗满
分类号：	G01N30/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N30
申请人地址：	014000 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号
主权项：	1.一种氯硅烷前处理方法，其特征在于：包括如下步骤： S1将多晶硅生产工艺中精馏后的溶液进行样品液的提取； S2将样品液转移到离心管中； S3将离心管放置到离心机中； S4启动离心机进行离心； S5取离心后的离心管的上层清液； S6取上层清液用色谱仪进行分析。 2.根据权利要求1所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：S1步骤后S2步骤前，将样品液降温处理。 3.根据权利要求2所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：S5步骤后S6步骤前，将上层清液置放到室温。 4.根据权利要求1所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：所述离心机的转速为10000r/min。 5.根据权利要求1所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：所述S6步骤中的进样量为5uL。 6.根据权利要求1所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：所述S6步骤中的色谱仪为气相色谱仪。 7.根据权利要求6所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：所述气相色谱仪的流速为60mL/min。 8.根据权利要求7所述的氯硅烷前处理方法，其特征在于：所述气相色谱仪的汽化室温度为110-140℃。
所属类别：	发明专利