原文传递
氟类气体检测装置及其的制造方法
| 专利名称： | 氟类气体检测装置及其的制造方法 |
| 摘要： | 本发明公开氟类气体检测装置。氟类气体检测装置包括：基板；以及检测层，配置于上述基板，包含氢化过渡金属氧化物并在与氟类气体反应的情况下，颜色发生变化。这种氟类气体检测装置可通过检测层的颜色变化来检测氟类气体。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 韩国;KR |
| 申请人： | 亚洲大学校产学协力团 |
| 发明人： | 徐亨卓;沈高云;李相渊 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2017-10-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-14T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201780066530.8 |
| 公开号： | CN109891225A |
| 代理机构： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 韩国京畿道 |
| 主权项： | 1.一种氟类气体检测装置，其特征在于，包括： 基板；以及 检测层，配置于上述基板，包含氢化过渡金属氧化物并在与氟类气体反应的情况下，颜色发生变化。 2.根据权利要求1所述的氟类气体检测装置，其特征在于： 上述氟类气体包含氟化气体、氟化氙气体、氟化碳气体或氟化硫气体。 3.根据权利要求1所述的氟类气体检测装置，其特征在于： 上述基板由选自由纸、纤维、高分子、陶瓷、玻璃以及金属组成的组中的至少一种物质形成。 4.根据权利要求1所述的氟类气体检测装置，其特征在于： 上述过渡金属氧化物包含选自由氧化钨(WOx)、氧化钼(MoOx)以及氧化铌(NbOx)组成的组中的至少一种。 5.一种氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于，包括： 在基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤；以及 在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤。 6.根据权利要求5所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于： 上述过渡金属氧化物薄膜由选自由氧化钨(WOx)、氧化钼(MoOx)以及氧化铌(NbOx)组成的组中的至少一种形成。 7.根据权利要求5所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于： 在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上涂敷过渡金属氧化物纳米粉末的步骤， 在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。 8.根据权利要求5所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于： 在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上利用水热合成法来使多个过渡金属氧化物纳米结构体生长的步骤， 在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。 9.根据权利要求5所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于： 在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上以溅射方法形成过渡金属氧化物薄膜的步骤， 在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
