原文传递
一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器
| 专利名称： | 一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器 |
| 摘要： | 本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU‑1。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 电子科技大学 |
| 发明人： | 毕磊;王会丽 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-03-20T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-18T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910211190.4 |
| 公开号： | CN109900659A |
| 代理机构： | 电子科技大学专利中心 |
| 代理人： | 闫树平 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |
| 主权项： | 1.一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器，其特征在于： 结构由下至上依次为基底、连续金属薄膜层、介质层和贵金属周期结构层； 所述连续金属薄膜层的厚度高于电磁波在可见光及近红外波段的穿透深度；介质层自下至上依次包含5nm～8nm的SiO2阻挡层，35nm～40nm的YIG种子层和40nm～60nm的Ce:YIG，介质层总厚度不超过100nm；上层贵金属周期结构厚度为20～30nm； 贵金属周期结构层满足入射光波矢与连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的SPP波矢匹配，以激发传播型表面等离激元。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
