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原文传递 检查发光元件的方法及用于检查发光元件的装置
专利名称: 检查发光元件的方法及用于检查发光元件的装置
摘要: 本申请涉及检查发光元件的方法和用于检查发光元件的装置,该方法和装置可确定发光二极管的密度、形状缺陷和对齐状态,该方法包括:准备其上设置有第一电极和第二电极的衬底;将包括多个发光元件的溶液施加至第一电极和第二电极上;向第一电极和第二电极施加第一电压,以使得多个发光元件发光;拍摄从多个发光元件发射的光以生成第一图像数据;以及利用第一图像数据确定多个发光元件的密度和形状缺陷中至少之一。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 韩国;KR
申请人: 三星显示有限公司
发明人: 朱成培
专利状态: 有效
申请日期: 2018-12-11T00:00:00+0800
发布日期: 2019-06-18T00:00:00+0800
申请号: CN201811509662.6
公开号: CN109900718A
代理机构: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人: 王达佐;刘铮
分类号: G01N21/95(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址: 韩国京畿道
主权项: 1.检查发光元件的方法,所述方法包括: 准备衬底,在所述衬底上设置有第一电极和第二电极; 将包括多个发光元件的溶液施加至所述第一电极和所述第二电极上; 向所述第一电极和所述第二电极施加第一电压,以使得所述多个发光元件发光; 拍摄从所述多个发光元件发射的所述光以生成第一图像数据;以及 利用所述第一图像数据确定所述多个发光元件的密度和形状缺陷中至少之一。 2.如权利要求1所述的方法,其中,所述发光元件包括: 第一半导体层; 有源层,位于所述第一半导体层上;以及 第二半导体层,位于所述有源层上。 3.如权利要求1所述的方法,其中,所述发光元件具有棒形状,并且所述发光元件的直径在100nm至1μm的范围中。 4.如权利要求1所述的方法,其中, 所述第一电压是直流电压,以及 所述第一电压在0.1V至10V的范围中。 5.如权利要求1所述的方法,其中, 所述第一电压是交流电压,以及 所述第一电压具有在0.1V至10V的范围中的振幅且具有在10Hz至100GHz的范围中的频率。 6.如权利要求1所述的方法,其中,施加包括所述多个发光元件的所述溶液包括: 以喷墨工艺方法施加包括所述多个发光元件的所述溶液。 7.如权利要求1所述的方法,还包括:当所述多个发光元件的密度不均匀时和/或当所述多个发光元件具有形状缺陷时,执行将包括所述多个发光元件的所述溶液重新施加至所述第一电极和所述第二电极上的返工过程。 8.如权利要求1所述的方法,还包括: 向所述第一电极和所述第二电极施加第二电压,以使得所述多个发光元件对齐并且发光; 拍摄从所述多个发光元件发射的所述光以生成第二图像数据;以及 利用所述第二图像数据确定所述多个发光元件的对齐状态。 9.如权利要求8所述的方法,其中, 所述第二电压是交流电压,以及 所述第二电压具有在10V至1000V的范围中的振幅且具有在10Hz至100GHz的范围中的频率。 10.如权利要求9所述的方法,其中,向所述第一电极和所述第二电极施加所述第二电压持续在60秒至120秒的范围中的时间段。
所属类别: 发明专利
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