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原文传递半导体装置和电位测量装置

专利名称：	半导体装置和电位测量装置
摘要：	本发明涉及半导体装置，当电极和放大器设置在同一基板上时，所述半导体装置能够通过提供可实现电极电镀工艺的构造来防止由产生的寄生电容引起的信号特性的劣化，还涉及电位测量装置。当电源提供用于执行电镀处理所需的电位时，阻断单元从液体读取信号，并且放大器放大并输出信号，电镀处理所需的电源相对于电极被阻断。本发明适用于电位测量装置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	索尼半导体解决方案公司
发明人：	佐藤正启;亀谷真知子;小木纯;加藤祐理
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201780068778.8
公开号：	CN109952505A
代理机构：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人：	陈桂香;曹正建
分类号：	G01N27/416(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	日本神奈川县
主权项：	1.一种半导体装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，所述参考电位产生单元和所述参考电位电极被构造成将参考电位提供给填充在容器中的液体；读取电极和放大器，所述读取电极和所述放大器被构造成从所述液体读取信号；电位提供单元，其被构造成在所述容器中填充电镀液代替所述液体，并且当对所述参考电位电极和所述读取电极执行电镀处理时，所述电位提供单元向所述参考电位电极和所述读取电极提供预定电位；以及断路器，其被构造成当所述容器填充有所述液体，在电位测量时在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，所述参考电位产生单元将所述参考电位提供给所述液体，所述读取电极从所述液体读取信号，且所述放大器放大并输出读取的信号，并且所述断路器被构造成当所述容器填充有所述电镀液并执行所述电镀处理时，提供来自所述电位提供单元的所述预定电位，其中，所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器、所述电位提供单元和所述断路器安装在同一基板上。 2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述断路器是场效应晶体管(FET)开关，并且在所述电位测量时，所述断路器被控制为断开，以在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述断路器被控制为接通，以提供来自所述电位提供单元的所述预定电位。 3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述断路器是二极管，所述二极管的负极连接到所述电位提供单元，所述二极管的正极连接到所述放大器，并且在所述电位测量时，所述电位提供单元提供第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供第二预定电位。 4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述电位测量时，所述电位提供单元提供高于所述参考电位的电位作为所述第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供低于所述电镀液的电位的电位作为所述第二预定电位。 5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述电位提供单元从所述放大器的电源提供所述预定电位。 6.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：附加二极管，其具有与所述二极管相同的特性，并且与所述二极管在同一工艺中形成，所述附加二极管的负极连接到所述二极管的正极，并且所述附加二极管的正极连接到接地电位。 7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：另一断路器，其被构造成在所述电位测量时，在靠近所述参考电位产生单元的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，并且当执行所述电镀处理时，所述另一断路器提供来自所述电位提供单元的所述预定电位。 8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述另一断路器是场效应晶体管(FET)开关，并且在所述电位测量时，所述另一断路器被控制为断开，以在靠近所述参考电位产生单元的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述另一断路器被控制为接通，以提供来自所述电位提供单元的所述预定电位。 9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述另一断路器是另一个二极管，所述另一个二极管的负极连接到所述电位提供单元，所述另一个二极管的正极连接到所述放大器，并且在所述电位测量时，所述电位提供单元提供第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供第二预定电位。 10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在所述电位测量时，所述电位提供单元提供高于所述参考电位的电位作为所述第一预定电位，且在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的电位供应，并且当执行所述电镀处理时，所述电位提供单元提供低于所述电镀液的电位的电位作为所述第二预定电位。 11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述电位提供单元从所述放大器的电源提供所述预定电位。 12.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：另一个附加二极管，其具有与所述另一个二极管相同的特性，并且与所述另一个二极管在同一工艺中形成，所述另一个附加二极管的负极连接到所述另一个二极管的正极，并且所述另一个附加二极管的正极连接到接地电位。 13.一种电位测量装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，所述参考电位产生单元和所述参考电位电极被构造成将参考电位提供给填充在容器中的液体；读取电极和放大器，所述读取电极和所述放大器被构造成从所述液体读取信号；电位提供单元，其被构造成在所述容器中填充电镀液代替所述液体，并且当对所述参考电位电极和所述读取电极执行电镀处理时，所述电位提供单元向所述参考电位电极和所述读取电极提供预定电位；以及断路器，其被构造成当所述容器填充有所述液体，在电位测量时在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，所述参考电位产生单元将所述参考电位提供给所述液体，所述读取电极从所述液体读取信号，且所述放大器放大并输出读取的信号，并且所述断路器被构造成当所述容器填充有所述电镀液并执行所述电镀处理时，提供来自所述电位提供单元的所述预定电位，其中，所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器、所述电位提供单元和所述断路器安装在同一基板上。
所属类别：	发明专利