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原文传递使用了等离子体离子源的质量分析

专利名称：	使用了等离子体离子源的质量分析
摘要：	本发明涉及使用了等离子体离子源的质量分析，为了考虑质量分析装置的质量偏置效应而针对干扰元素的二价离子对由使用了离子体离子源的质量分析装置测定的分析元素的测定离子的光谱干扰进行修正，使用该干扰元素的同位素之中具有不同的奇数的质量数的两个同位素的二价离子的离子强度的测定值。在用于获取被应用本发明的修正方法的测定值的测定中，优选将该质量分析装置的质量分辨率设定为高于通常的分析时的值。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	安捷伦科技有限公司
发明人：	杉山尚树;大森美音子;中野和美
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201811531964.3
公开号：	CN109975385A
代理机构：	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：	张永玉
分类号：	G01N27/62(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	美国加利福尼亚州
主权项：	1.一种修正光谱干扰的方法，其中，所述光谱干扰是干扰元素的二价离子对由使用了等离子体离子源的质量分析装置测定的、试样中的分析元素的测定离子的干扰，当在所述试样中存在具有三个不同的同位素的至少一种干扰元素、其中任意两个同位素(将这两个同位素分别称为“第一同位素”、“第二同位素”，将另一个同位素称为“第三同位素”)具有奇数的质量数的情况下，所述方法包括以下步骤：针对所述至少一种干扰元素，使用所述试样中的所述第一同位素的二价离子的离子强度的测定值、以及所述试样中的所述第二同位素的二价离子的离子强度的测定值，并计算所述第三同位素的二价离子对所述分析元素的测定离子的光谱干扰的干扰量；以及从由所述质量分析装置测定的、所述试样中的分析元素的测定离子的质量电荷比中的离子强度的测定值中，减去针对所述至少一种干扰元素计算出的干扰量，并求出所述分析元素的测定离子的质量电荷比中的离子强度的修正值。 2.根据权利要求1所述的方法，其中，针对所述至少一种干扰元素的各个，将所述第一同位素的二价离子的离子强度的测定值、所述第二同位素的二价离子的离子强度的测定值分别设为Cl、C2，将所述第一同位素、所述第二同位素以及所述第三同位素的同位素丰度比分别设为A1、A2、A3，将所述第一同位素的二价离子、所述第二同位素的二价离子以及所述第三同位素的二价离子的质量电荷比分别设为M1、M2、M3，此时，由所述至少一种干扰元素的各个的所述第三同位素的二价离子产生的光谱干扰的所述干扰量被计算为 C2×(A3/A2)×[(1+a×(M3-M2)]，其中，a是 [1/(M2-M1)]×[(C2/C1)/(A2/A1)-1]。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述质量分析装置中使用四极杆质量分析装置的情况下，该质量分析装置的质量分辨率被设定为0.4amu(FWHM)以下。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述分析元素是As或者Se。 5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在所述分析元素是As的情况下，所述至少一种干扰元素是Nd和Sm中的任一个，或者是Nd和Sm，在所述分析元素是Se的情况下，所述至少一种干扰元素是Gd和Dy中的任一个，或者是Gd和Dy。 6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述至少一种干扰元素选自Nd、Sm、Gd以及Dy。 7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，计算干扰量的步骤以及求出修正值的步骤通过所述质量分析装置的外部的计算装置来实施。 8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，计算干扰量的步骤以及求出修正值的步骤通过内置于所述质量分析装置的数据处理单元来实施。 9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述质量分析装置是感应耦合等离子体质量分析装置(ICP-MS)、微波等离子体质量分析装置或者辉光放电质量分析装置(GDMS)。 10.一种质量分析装置，其中，所述质量分析装置是感应耦合等离子体质量分析装置(ICP-MS)、微波等离子体质量分析装置或者辉光放电质量分析装置(GDMS)，所述质量分析装置实施权利要求1至6中任一项所述的方法。
所属类别：	发明专利