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原文传递用于增强基于反射镜的光成像带电粒子显微镜中SE检测的方法和设备

专利名称：	用于增强基于反射镜的光成像带电粒子显微镜中SE检测的方法和设备
摘要：	用于增强基于反射镜的光成像带电粒子显微镜中SE检测的方法和设备。设备包含：反射器，其定位在样品位置附近，所述样品位置被定位成从带电粒子束(CPB)聚焦组合件沿CPB轴线接收CPB，使得所述反射器被定位成接收基于CPB‑样品相互作用或光子‑样品相互作用从所述样品位置处的样品发射的光并且将所述光引导到光电检测器；以及转向电极，其定位在所述反射器附近，以便将基于所述CPB‑样品相互作用从所述样品发射的二次带电粒子引导远离所述反射器和所述CPB轴线。还公开了方法和系统。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	FEI 公司
发明人：	G.格莱德修;M.马祖兹
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201811596451.0
公开号：	CN109975341A
代理机构：	中国专利代理(香港)有限公司
代理人：	张凌苗;申屠伟进
分类号：	G01N23/22(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	美国俄勒冈州
主权项：	1.一种设备，其包括：反射器，其定位在样品位置附近，所述样品位置被定位成从带电粒子束(CPB)聚焦组合件沿CPB轴线接收CPB，使得所述反射器被定位成接收基于CPB-样品相互作用或光子-样品相互作用从所述样品位置处的样品发射的光并且将所述光引导到光电检测器；以及转向电极，其定位在所述反射器附近，以便将基于所述CPB-样品相互作用从所述样品发射的二次带电粒子引导远离所述反射器和所述CPB轴线。 2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射器是被定位成沿光轴准直或聚焦所述光的弯曲反射器。 3.根据权利要求2所述的设备，其中所述弯曲反射器是抛物面反射器或椭圆形反射器。 4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括移动台，所述移动台联接到所述反射器并且被定位成相对于所述CPB轴线或所述样品位置移动所述反射器。 5.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射器的长度包含延伸部，所述延伸部为从所述样品发射的所述光提供额外的收集角并且具有至少部分地基于所述使用所述转向电极将所述二次带电粒子引导远离所述反射器的延伸部长度。 6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括移动台，所述移动台联接到所述转向电极并且被定位成改变所述转向电极与所述反射器或所述CPB轴线之间的距离和角度中的一个或多个。 7.根据权利要求6所述的设备，其中所述转向电极包括天线电极。 8.根据权利要求6所述的设备，其中所述转向电极包括静电板。 9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括二次带电粒子检测器，其被定位成接收从所述样品发射并且由所述转向电极引导的所述二次带电粒子。 10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括所述CPB聚焦组合件，其被定位成沿着所述CPB轴线将所述CPB引导到所述样品位置处的焦点。 11.根据权利要求1所述的设备，其中所述CPB包括电子束，所述第二带电粒子包括二次电子，并且所述光包括阴极发光。 12.根据权利要求11所述的设备，其中所述反射器的长度包含延伸部，所述延伸部为从所述样品发射的所述光提供额外的收集角并且具有至少部分地基于所述使用反射器偏置引导所述二次带电粒子的延伸部长度。 13.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射器和所述转向电极被定位成同时将所述光引导到所述光电检测器并且将所述二次带电粒子引导到二次带电粒子检测器。 14.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射器被定位成接收电压以便提供偏置，所述偏置将所述二次带电粒子引导远离所述反射器和所述CPB轴线。 15.根据权利要求14所述的设备，其中所述反射器被定位成在所述反射器的不同部分处接收不同的电压。 16.根据权利要求15所述的设备，其中所述不同部分包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分比所述第二部分接收更大的偏置，其中所述第一部分沿着与所述样品位置相邻的强弯曲部分，并且所述第二电压沿着与所述样品位置相邻的较弱弯曲部分。 17.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括光源，所述光源被配置成发射光束以产生所述光子-样品相互作用。 18.根据权利要求17所述的设备，其中从所述样品发射的所述光与拉曼发射相对应。 19.一种方法，其包括：将反射器定位在带电粒子束(CPB)样品位置附近，所述样品位置被定位成从CPB聚焦组合件沿CPB轴线接收CPB，使得所述反射器被定位成接收基于CPB-样品相互作用或光子-样品相互作用从所述样品位置处的所述样品发射的光并且将所述光引导到光电检测器；以及将转向电极定位在所述反射器附近，以便将基于所述CPB-样品相互作用从所述样品发射的二次带电粒子引导远离所述反射器和所述CPB轴线。 20.根据权利要求19所述的方法，其中所述反射器的长度包含延伸部，所述延伸部为从所述样品发射的所述光提供额外的收集角并且具有至少部分地基于所述使用所述转向电极将所述二次带电粒子引导远离所述反射器的延伸部长度。 21.根据权利要求19所述的方法，其中所述反射器是被定位成沿光轴准直或聚焦所述光的抛物面反射器。 22.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：将所述CPB引导到所述样品；使用所述光电检测器检测所述光；以及使用带电粒子检测器检测所述二次带电粒子。 23.根据权利要求22所述的方法，其中所述CPB是电子束，所述第二带电粒子是二次电子，并且所述光包括阴极发光。 24.一种系统，其包括：至少一个处理器；以及一个或多个计算机可读存储媒体，其包含存储的指令，所述指令响应于由所述至少一个处理器执行而使所述系统控制定位在反射器附近的转向电极的电压，以便将二次带电粒子引导远离所述反射器和带电粒子束(CPB)轴线，其中所述第二带电粒子是基于沿CPB轴线传播的CPB与所述样品之间的相互作用从样品位置处的样品发射的，其中所述反射器被定位在所述样品位置附近，并且所述样品位置被定位成从CPB聚焦组合件沿所述CPB轴线接收所述CPB，使得所述反射器被定位成接收基于所述CPB-样品相互作用或光子-样品相互作用从所述样品发射的光并且将所述光引导到光电检测器。
所属类别：	发明专利