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原文传递提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法

专利名称：	提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法
摘要：	本发明属于适配体后筛选技术领域和生物传感快速检测技术领域，具体涉及提升氧化石墨烯(GO)基适配体传感器响应性能的方法。本发明的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，包括以下步骤：根据原适配体二级结构设计截短适配体；监测截短适配体与靶标之间的相互作用及构型改变；测定靶标出现前后截短适配体与氧化石墨烯间的淬灭常数；从探针构型、结合强度以及吸脱附难易等方面综合分析判断，得到适用于氧化石墨烯平台的具有最佳响应性能的适配体，并以此构建氧化石墨烯基适配体传感平台。本发明构造了高性能的GO基适配体传感器，实现了对单个霉菌毒素以及多个霉菌毒素的快速灵敏检测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京师范大学
发明人：	李运超;王杏林;何佳乐
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-12T00:00:00+0800
申请号：	CN201910320791.9
公开号：	CN110006868A
代理机构：	北京法信智言知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	刘静荣
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	100875 北京市海淀区新街口外大街19号
主权项：	1.提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： (1)设计剔除冗余碱基的截短适配体； (2)监测步骤(1)得到的截短适配体与靶标之间的相互作用，选择构型变化较大且与靶标具有较大亲和力的截短适配体作为备选序列； (3)测定靶标出现前，备选截短适配体与氧化石墨烯基间的淬灭常数为Kp1；以及测定靶标出现后，适配体-靶标耦合物与氧化石墨烯间的淬灭常数为Kp2； (4)计算Kp1/Kp2，选择具有最大Kp1/Kp2值的备选适配体作为适用于氧化石墨烯平台并对所述靶标具有最佳响应的适配体； (5)使用步骤(4)得到的截短适配体构造氧化石墨烯基适配体传感器。 2.根据权利要求1所述的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，步骤(2)中的靶标为与氧化石墨烯吸附较弱的DNA、病毒、蛋白质、毒素、农药、维生素、细胞，优选黄曲霉毒素B1和/或赭曲霉毒素A。 3.根据权利要求1所述的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，在步骤(2)中，利用圆二色谱法监测靶标加入前后截短适配体的构型改变程度。 4.根据权利要求1所述的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，步骤(2)中，利用荧光滴定法测定截短适配体与靶标的亲和力。 5.根据权利要求1所述的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，步骤(4)得到的响应最佳的适配体包括P-AFB1-40，其核苷酸序列如SEQ ID No.1所示。 6.具有最佳响应性能的氧化石墨烯基适配体传感器中的适配体的筛选方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： (1)监测适配体与靶标之间的相互作用，选择构型变化较大且与靶标具有较大亲和力的适配体； (2)测定靶标出现前，截短适配体与氧化石墨烯基的淬灭常数为Kp1；以及测定靶标出现后，适配体-靶标耦合物与氧化石墨烯间的淬灭常数为Kp2； (3)计算Kp1/Kp2，选择具有最大Kp1/Kp2值的适配体为所述靶标的响应最佳的适配体。 7.根据权利要求6所述的具有最佳响应性能的氧化石墨烯基适配体传感器的适配体的筛选方法，其特征在于，步骤(1)中的靶标为黄曲霉毒素B1和/或赭曲霉毒素A。 8.根据权利要求6所述的具有最佳响应性能的氧化石墨烯基适配体传感器的适配体的筛选方法，其特征在于，在步骤(1)中，利用圆二色谱法监测靶标加入前后适配体的构型改变程度。 9.根据权利要求6所述的具有最佳响应性能的氧化石墨烯基适配体传感器的适配体的筛选方法，其特征在于，步骤(1)中，利用荧光滴定法测定适配体与靶标的亲和力。 10.根据权利要求6所述的具有最佳响应性能的氧化石墨烯基适配体传感器的适配体的筛选方法，其特征在于，步骤(3)得到的适配体包括P-AFB1-40，其核苷酸序列如SEQ IDNo.1所示。
所属类别：	发明专利