详情

原文传递绝缘子污秽状态评价方法及装置

专利名称：	绝缘子污秽状态评价方法及装置
摘要：	本发明提供了一种绝缘子污秽状态评价方法，所述绝缘子污秽状态评价方法用于确定所述绝缘子的闪络电压值，从而评估所述绝缘子的污秽状态。本发明提供的所述绝缘子污秽状态评价方法操作便捷且便于现场直接测量。本发明还提供一种绝缘子污秽状态评价装置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	清华大学深圳研究生院
发明人：	梅红伟;邵仕超;王黎明
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-07T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201910375604.7
公开号：	CN110044966A
代理机构：	深圳市鼎言知识产权代理有限公司
代理人：	曾昭毅;郑海威
分类号：	G01N27/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区
主权项：	1.一种绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，包括以下步骤：分别对所述绝缘子的上表面以及所述绝缘子的下表面进行分区；提供一探头，并通过所述探头依次测量所述绝缘子上表面以及所述绝缘子下表面每一所述分区的局部闪络电压值；根据所述绝缘子上表面每一所述分区的所述局部闪络电压值、所述绝缘子下表面每一所述分区的所述局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述上表面每一所述分区以及所述下表面每一所述分区对应的局部等值盐密；根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密，根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密；结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密；根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值；以及根据单片所述绝缘子的闪络电压值，通过线性运算，获得整串所述绝缘子的闪络电压值，从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。 2.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，对所述绝缘子进行分区包括将所述绝缘子划分为多个同心的环带，沿所述绝缘子的直径方向将所述绝缘子划分为多个扇区，并把每个所述扇区内的每个环带作为一个分区。 3.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，所述探头包括一第一电极以及一第二电极，所述第一电极与所述第二电极平行设置，通过所述探头测量所述绝缘子上表面所述分区的局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述上表面每一所述分区的表面接触并向所述上表面的分区表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络；通过所述探头测量所述绝缘子下表面所述分区的局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述下表面每一所述分区的表面接触并向所述下表面的分区表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络。 4.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，定义所述绝缘子的所述总体等值盐密为S，所述总体等值盐密S的计算公式为：S＝(f1+f2)s1s2/(f1s2+f2s1)；其中，f1表示所述绝缘子上表面的形状系数，f2表示所述绝缘子下表面的形状系数，s1表示所述绝缘子上表面的等值盐密，s2表示所述绝缘子下表面的等值盐密。 5.一种绝缘子污秽状态评价装置，用于确定所述绝缘子的一闪络电压值，其中，所述绝缘子上下表面各包括多个分区，其特征在于，所述绝缘子污秽状态评价装置包括：一探头，所述探头用于测量所述绝缘子的上表面每一所述分区的局部闪络电压值以及所述绝缘子的下表面每一所述分区的局部闪络电压值；以及一处理器，所述处理器用于：根据每一所述分区的局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述分区对应的局部等值盐密；根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密，根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密；结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密；根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值；以及根据单片所述绝缘子的闪络电压值，通过线性运算，获得整串所述绝缘子的闪络电压值，从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。 6.如权利要求5所述的绝缘子污秽状态评价装置，其特征在于，所述探头包括一第一电极以及一第二电极，所述第一电极与所述第二电极平行设置，通过所述探头测量所述上表面分区的所述局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述上表面分区的表面接触并向所述上表面分区的表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络；通过所述探头测量所述下表面分区的所述局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述下表面分区的表面接触并向所述下表面分区的表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络。 7.如权利要求6所述的绝缘子污秽状态评价装置，其特征在于，所述探头还包括一凹槽，所述凹槽用于容置所述去离子水。 8.如权利要求6所述的绝缘子污秽状态评价装置，其特征在于，所述绝缘子污秽状态评价装置还包括一与所述第一电极以及所述第二电极电性连接的电源，所述电源用于当所述第一电极以及所述第二电极与所述绝缘子上表面每一所述分区的表面接触并向所述绝缘子上表面每一所述分区表面施加去离子水时，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络，从而测量所述绝缘子上表面每一所述分区的局部闪络电压值；所述电源还用于当所述第一电极以及所述第二电极与所述绝缘子下表面每一所述分区的表面接触并向所述绝缘子下表面每一所述分区表面施加去离子水时，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络，从而测量所述绝缘子下表面每一所述分区的局部闪络电压值。 9.如权利要求8所述的绝缘子污秽状态评价装置，其特征在于，所述绝缘子污秽状态评价装置还包括一显示器，所述显示器用于显示所述第一电极以及所述第二电极发生闪络时，所述电源输出至所述第一电极以及所述第二电极的电压值。 10.如权利要求9所述的绝缘子污秽状态评价装置，其特征在于，所述显示器还用于显示所述第一电极与所述第二电极短接时的电压值，从而对所述探头进行校准。
所属类别：	发明专利