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原文传递一种六边形单晶硅棒的加工工艺

专利名称：	一种六边形单晶硅棒的加工工艺
摘要：	本发明提供一种六边形单晶硅棒的加工工艺，步骤包括：S1：开方，切割线以单晶圆棒端面作为切入口，沿单晶圆棒轴线方向进行切割，去边皮料，加工出的面依次为第一组面、第二组面和第三组面，加工所述第一组面时切割线的线速度大于加工第二组面和第三组面时切割线的线速度，且放置切割线的导轮为V型槽结构，V型槽角度为50‑70°；S2：倒角，对相邻第一组面、第二组面和第三组面的连接棱角进行倒圆加工；S3：磨平面，依次对第一组面、第二组面和第三组面进行磨削加工，且加工第一组面时硅棒移动速度大于加工第二组面和第三组面时移动速度。本发明优化了加工工艺，提高了产品质量，缩短了加工时间，降低生产成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	内蒙古;15
申请人：	内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
发明人：	匡文军;马洋;郭鑫乐;梁志慧;蔺永生;贡艺强;张瑞祥
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201910337369.4
公开号：	CN110039672A
代理机构：	天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	栾志超
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
主权项：	1.一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，步骤包括： S1：开方，切割线以单晶圆棒端面作为切入口，沿所述单晶圆棒轴线方向进行切割，去边皮料，加工出的面依次为第一组面、第二组面和第三组面，加工所述第一组面时所述切割线的线速度大于加工所述第二组面和所述第三组面时所述切割线的线速度，且放置所述切割线的导轮为V型槽结构，所述V型槽角度为50-70°； S2：倒角，对相邻所述第一组面、所述第二组面和所述第三组面的连接棱角进行倒圆加工； S3：磨平面，依次对所述第一组面、所述第二组面和所述第三组面进行磨削加工，且加工所述第一组面时所述硅棒移动速度大于加工所述第二组面和所述第三组面时移动速度。 2.根据权利要求1所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，在所述S1中，所述切割线的线速度分三段，分别为入刀段、中间段和出刀段，所述入刀段的线速度大于所述出刀段的线速度；所述入刀段和所述出刀段的速度均小于所述中间段的速度。 3.根据权利要求2所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，在加工过程中，对所述切割线进行喷洒冷却液，所述冷却液为纯水。 4.根据权利要求3所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，冷却温度为20±5℃，所述冷却液流量为12-20L/min。 5.根据权利要求1-4任一项所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，所述入刀段和所述出刀段的加工长度相同，为50-100mm。 6.根据权利要求5所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，所述S2包括依次对所述棱角分别用粗砂轮进行粗磨和精砂轮进行细磨，所述粗砂轮粒度为150-250目；所述精砂轮粒度为500-1200目。 7.根据权利要求6所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，所述S3具体包括： S31：用粗砂轮依次对所述第一组面、所述第二组面和所述第三组面进行粗磨磨削； S32：用精砂轮依次对所述第一组面、所述第二组面和所述第三组面进行精磨磨削。 8.根据权利要求7所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，在所述S31和所述S32中，所述硅棒在所述入刀段的移动速度大于在所述出刀段的移动速度；所述硅棒在所述中间段的移动速度大于在所述入刀段和所述出刀段的移动速度。 9.根据权利要求7或8所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺，其特征在于，所述粗砂轮粒度为150-250目；所述精砂轮粒度为500-1200目。 10.根据权利要求9所述的一种六边形单晶硅棒的加工工艺的加工方法，其特征在于，所述S32还包括对所述硅棒的平面进行粗糙度、垂直度和平面度进行检查。
所属类别：	发明专利