专利名称: |
一种光激发气敏传感器结构的制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种光激发气敏传感器结构的制备方法,包括:制备获得金属围坝支架和LED芯片;制备获得与所述金属围坝支架上表面匹配的透镜;在所述透镜上表面制备金属电极,获得带金属电极的透镜;在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料,使光激发气敏材料与所述金属电极电连接;将带金属电极和光激发气敏材料的透镜的下表面与所述金属围坝支架粘接,以对所述LED芯片进行封装,获得气敏传感器结构。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装,并将光激发气敏材料设置于透镜上,LED芯片设置于传感器内部,不单独占用空间,相比现有的外置光源,光敏检测系统的复杂性降低。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
华中科技大学鄂州工业技术研究院 |
发明人: |
张爽;刘源;李华耀;戴江南;陈长清 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T20:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T10:00:00+0805 |
申请号: |
CN201911323633.5 |
公开号: |
CN110987879A |
代理机构: |
北京众达德权知识产权代理有限公司 |
代理人: |
刘杰 |
分类号: |
G01N21/63;G01N21/01;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/63;G01N21/01 |
申请人地址: |
436044 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特一号 |
主权项: |
1.一种光激发气敏传感器结构的制备方法,所述气敏传感器结构包括金属围坝支架、LED芯片、透镜、金属电极和光激发气敏材料,其特征在于,所述制备方法包括: 制备获得金属围坝支架和LED芯片; 制备获得与所述金属围坝支架上表面匹配的透镜; 在所述透镜上表面制备金属电极,获得带金属电极的透镜; 在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料,使光激发气敏材料与所述金属电极电连接; 将带金属电极和光激发气敏材料的透镜的下表面与所述金属围坝支架粘接,以对所述LED芯片进行封装,获得气敏传感器结构。 2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述LED芯片为深紫外LED芯片。 3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属电极为叉指式电极结构;所述在所述透镜上表面制备金属电极,获得带金属电极的透镜,具体包括: 在所述透镜上按照叉指式结构进行光刻; 蒸镀Cr金属作为种子层,并进行剥离,获得带金属电极的透镜。 4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料,具体包括: 使用改性的气敏材料,在所述带金属电极的透镜上表面沉积获得光激发气敏材料。 5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述改性的气敏材料为ZnO纳米棒。 6.如权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述改性的气敏材料的制备方法,包括: 对所述气敏材料进行掺杂和/或高温退火处理,获得改性的气敏材料。 7.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述带金属电极的透镜上表面沉积获得光激发气敏材料之前,所述制备方法还包括: 在所述带金属电极的透镜上表面制备晶种层。 8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述透镜为平面透镜。 9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述透镜为ITO导电玻璃、双抛蓝宝石或石英玻璃。 10.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述透镜上表面制备金属电极之前,所述制备方法还包括: 使用丙酮和异丙醇对所述透镜进行超声清洗。 |
所属类别: |
发明专利 |