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一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片
| 专利名称： | 一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片，该传感芯片由半导体超材料层和石英衬底层两部分组成；所述的半导体超材料层由十字架型的单元结构周期性排列组成,其中y方向截为两个参数相同的长方体，并与x方向的长方体之间有长度为2微米的间隔；超材料层的下方是石英衬底层；当太赫兹光波垂直入射到超材料芯片上时，会在1.57太赫兹处产生谐振。在芯片上加上山梨酸后，由于杂化诱导透明效应，在原本的谐振频率处会出现新的透射峰，当山梨酸的浓度发生变化时，透射峰的幅值也会随之改变，根据幅值的改变量就可以推算出山梨酸的浓度大小。该检测芯片具有轻巧便携、操作简单、灵敏度高等优势，具有良好的应用前景。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 中国计量大学 |
| 发明人： | 张锦晖;郎婷婷;王燕;余振宇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2021-09-07T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2022-03-25T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN202122157053.2 |
| 公开号： | CN216132930U |
| 分类号： | G01N21/3586;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/3586 |
| 申请人地址： | 310018 浙江省杭州市学源街258号中国计量大学 |
| 主权项： | 1.一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片，其特征在于：所述的检测芯片由半导体超材料层(1)和石英衬底层(2)两部分组成；所述的半导体超材料层(1)由十字架型的单元结构周期性排列组成,其中竖直方向截为两个参数相同的长方体A和C，并与横向长方体B之间有长度为2微米的间隔；超材料层的下方是石英衬底层(2)。 2.根据权利要求1所述的一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片，其特征在于：所述的半导体超材料层(1)的材料是锑化铟，其等离子体频率为7.63×1013 1/S，碰撞频率为5.0×1010rad/S，无穷介电常数为15.68；其单元结构由三个长方体组成，单元结构在x和y方向上的周期尺寸P均为170μm，中间长方体B在x方向上的长度a为136μm，在y方向上的长度b为4μm，上下两个长方体A和C分别与B之间有长度2μm的间隔g，A和C的尺寸完全相同，在x方向的长度d为4μm，在y方向的长度c为41μm，三个长方体的高度h均为4μm。 3.根据权利要求1所述的一种无标记的太赫兹超材料山梨酸检测芯片，其特征在于：所述的衬底层(2)的材料为石英，介电常数为3.78，厚度t为5μm，形状为长方体。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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