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原文传递 基于纳米多孔银的SERS基底制备方法和SERS微流控芯片
专利名称: 基于纳米多孔银的SERS基底制备方法和SERS微流控芯片
摘要: 本发明提供了基于纳米多孔银(NPAg)的SERS基底的制备方法,以及通过本发明方法所制得的SERS基底。在此基础上,本发明还涉及基于所述SERS基底的SERS微流控芯片。并且,本发明还涉及所述SERS基底和所述SERS微流控芯片用于分析检测的用途。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 中国香港;81
申请人: 香港科技大学
发明人: 黄晋卿;邱文婷
专利状态: 有效
申请日期: 2022-04-25T00:00:00+0800
发布日期: 2023-11-03T00:00:00+0800
申请号: CN202210442540.X
公开号: CN116990277A
代理机构: 北京汇知杰知识产权代理有限公司
代理人: 杨巍;柴春玲
分类号: G01N21/65;B01L3/00;G;B;G01;B01;G01N;B01L;G01N21;B01L3;G01N21/65;B01L3/00
申请人地址: 中国香港九龙清水湾
主权项: 1.一种制备SERS基底的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)将银片表面的银进行电化学反应,形成氯化银或氧化银,优选所述银片厚度100mm-150mm; 2)使所述银片表面的氯化银还原,获得具有纳米多孔银表面的银片。 2.根据权利要求1所述制备SERS基底的方法,其特征在于,在1)中,在氯化物例如氯化钾或氯化钠水溶液中进行电化学反应,使得银片表面的银通过反应形成氯化银,优选所述氯化物浓度为1-2M。 3.根据权利要求1或2所述制备SERS基底的方法,其特征在于,在1)中,所述银片为长方形、正方形、圆形或椭圆形。 4.根据权利要求1或2所述制备SERS基底的方法,其特征在于,在2)中,使用硼氢化钠或柠檬酸钠还原所述氯化的表面,例如使用0.1-0.2M的硼氢化钠或0.1-0.2M的柠檬酸钠溶液。 5.根据权利要求1-4任何一项所述的方法制备的SERS基底。 6.根据权利要求5所述的SERS基底,其特征在于,所述纳米多孔银材料具有的纳米孔的尺寸分布在10nm至100nm,优选在40nm至80nm。 7.一种SERS微流控芯片的制备方法,其特征在于,包括:在基材上通过光固化聚合物将权利要求5或6所述的SERS基底固定在基材表面;在所述SERS基底的顶部覆盖由高分子化合物制成的微通道,所述基材优选由玻璃制成。 8.根据权利要求7所述的SERS微流控芯片的制备方法,其特征在于,所述高分子化合物为聚二甲基硅氧烷。 9.根据权利要求6或7所述的SERS微流控芯片的制备方法,其特征在于,所述光固化聚合物为NOA81。 10.根据权利要求6至9任一项所述的SERS微流控芯片的制备方法,其特征在于,所述微流控芯片上具有1个或多个检测室。 11.根据权利要求7-10任何一项所述的方法制备的SERS微流控芯片。 12.一种拉曼检测的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)将权利要求5或6所述的SERS基底浸入需分析的溶液中一段时间,或者将需分析的溶液加入根据权利要求11的SERS微流控芯片维持一段时间; 2)将浸泡过的SERS基底或SERS微流控芯片取出,干燥,采用拉曼光谱仪进行SERS检测。 13.根据权利要求12所述拉曼检测的方法,其特征在于,SERS基底浸入需分析的溶液中的时间为2小时至12小时。
所属类别: 发明专利
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