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原文传递 一种硅片转移装置
专利名称: 一种硅片转移装置
摘要: 本实用新型涉及一种硅片转移装置,其特征在于,可上下移动的托盘与托盘 升降伺服机构连接,硅片叠层设于托盘上,至少一对硅片高度位置探测信号发送 器、硅片高度位置探测信号接收器分别设于硅片叠层两边的同一水平线上,使得 硅片叠层最上面的硅片的起始高度低于硅片高度位置探测信号发送器、硅片高度 位置探测信号接收器的高度,硅片高度位置探测信号发送器、硅片高度位置探测 信号接收器分别与高度位置信号处理机构连接,至少一对喷射气流控制头对称设 于最上面硅片和下面一片硅片的界面上,并高于一对硅片高度位置探测信号发送
专利类型: 实用新型专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 上海交大泰阳绿色能源有限公司
发明人: 郭里辉
专利状态: 有效
申请日期: 2006-11-30T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200620048326.2
公开号: CN200979877
代理机构: 上海申汇专利代理有限公司
代理人: 翁若莹
分类号: H01L21/677(2006.01)I
申请人地址: 200240上海市闵行区剑川路951号沧源工业园内
主权项: 1.一种硅片转移装置,其特征在于,由托盘(01)、硅片叠层(03)、喷射气流 控制头(04、05)、硅片高度位置探测信号发送器(08)、硅片高度位置探测 信号接收器(09)和吸爪(11)、高度位置信号处理机构(12)和托盘升降伺 服机构(13)组成,可上下移动的托盘(01)与托盘升降伺服机构(13)连 接,硅片叠层(03)设于托盘(01)上,至少一对硅片高度位置探测信号发 送器(8)、硅片高度位置探测信号接收器(9)分别设于硅片叠层(3)两边 的同一水平线上,使得硅片叠层(03)最上面的硅片(02)的起始高度低于 硅片高度位置探测信号发送器(08)、硅片高度位置探测信号接收器(09)的 高度,硅片高度位置探测信号接收器(09)与高度位置信号处理机构(12) 连接,至少一对喷射气流控制头(04、05)对称设于最上面硅片02和下面一 片硅片的界面上,并高于一对硅片高度位置探测信号发送器(08)、硅片高度 位置探测信号接收器(09)的位置,吸爪(11)设于硅片叠层(03)的上端。
所属类别: 实用新型
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