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检测半导体器件的大马士革结构的方法
| 专利名称： | 检测半导体器件的大马士革结构的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体器件的大马士革结构的方法，包括：在大马士革结构上依次沉积液态有机物保护层及金属铂层后，放置在聚焦离子束FIB机台上切割得到样品；将样品放置在透射电子显微镜TEM下观测得到大马士革结构的铜种子层厚度及刻蚀形貌。本发明提供的方法可以检测面积小的大马士革结构的铜种子层的厚度以及刻蚀形貌。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 发明人： | 芮志贤;段淑卿;杨卫明;王玉科;苏凤莲 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-07-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910055431.7 |
| 公开号： | CN101969035A |
| 代理机构： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
| 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 分类号： | H01L21/66(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |
| 主权项： | 一种检测半导体器件的大马士革结构的方法，包括：在大马士革结构上依次沉积液态有机物保护层及金属铂层后，放置在聚焦离子束FIB机台上切割得到样品；将样品放置在透射电子显微镜TEM下观测得到大马士革结构的铜种子层厚度及刻蚀形貌。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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